公开(公告)号：CN119790352A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062940.0

申请日：2023-11-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 板野健一 ,  清泽努 ,  河野洋志 ,  田中克久

IPC: G03F9/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H10D62/80 ,  H10D30/60 ,  H10D12/00 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01

Abstract: 技术问题在于提供一种能够可靠地识别半导体基板的标记的半导体装置的制造方法以及半导体基板。作为解决手段，本实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一标记(10)，该第一标记(10)从与SiC基板的第一面大致垂直的第一方向凹陷，在第一面中由在与第一方向正交的第二方向上延伸的第一边及第三边、和在与第一方向及第二方向正交的第三方向上延伸的第二边及第四边包围，在第一边具有在从第一边朝向该第一边的对边即第三边的第三方向上凹陷的至少1个凹图案。在SiC基板的第一标记(10)上使SiC层外延生长。