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公开(公告)号：CN111725073A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910738425.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 岸博明
IPC: H01L21/48 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 实施方式涉及半导体封装、芯片贴装膜以及其制造方法。实施方式的芯片贴装膜的制造方法具备：在支承板上形成多个柱的工序；在所述柱之间形成热传导率比所述柱的热传导率低的粘合剂层的工序；以及去除所述支承板的工序。
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公开(公告)号：CN110890340B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811442394.0
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体芯片、配置在上述半导体芯片的周围的多个连接端子、包括将上述半导体芯片与上述多个连接端子电连接的多个布线在内的基座部件、以及填充在配置于上述基座部件上的上述半导体芯片与上述多个连接端子之间的树脂部件。上述树脂部件具有第1面、第2面和侧面，上述第1面与上述半导体芯片的和上述基座部件接触的面相连，上述第2面位于上述第1面的相反侧，上述侧面与上述第1面及上述第2面相连。上述多个连接端子位于上述树脂部件中，包含在上述第1面或上述第2面露出的第1接触面、和与上述第1接触面相连且在上述侧面露出的第2接触面。
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公开(公告)号：CN110310933A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810907422.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂，上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接，所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。
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公开(公告)号：CN110310933B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810907422.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂，上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接，所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。
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公开(公告)号：CN110890340A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811442394.0
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体芯片、配置在上述半导体芯片的周围的多个连接端子、包括将上述半导体芯片与上述多个连接端子电连接的多个布线在内的基座部件、以及填充在配置于上述基座部件上的上述半导体芯片与上述多个连接端子之间的树脂部件。上述树脂部件具有第1面、第2面和侧面，上述第1面与上述半导体芯片的和上述基座部件接触的面相连，上述第2面位于上述第1面的相反侧，上述侧面与上述第1面及上述第2面相连。上述多个连接端子位于上述树脂部件中，包含在上述第1面或上述第2面露出的第1接触面、和与上述第1接触面相连且在上述侧面露出的第2接触面。
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