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公开(公告)号:CN114256219A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202110225631.3
申请日:2021-03-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H02P29/00
Abstract: 实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备:IC芯片,在第一面具有第一端子以及第二端子;和第一硅电容器,与所述IC芯片的所述第一面对置,并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。
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公开(公告)号:CN110890340B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN201811442394.0
申请日:2018-11-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体芯片、配置在上述半导体芯片的周围的多个连接端子、包括将上述半导体芯片与上述多个连接端子电连接的多个布线在内的基座部件、以及填充在配置于上述基座部件上的上述半导体芯片与上述多个连接端子之间的树脂部件。上述树脂部件具有第1面、第2面和侧面,上述第1面与上述半导体芯片的和上述基座部件接触的面相连,上述第2面位于上述第1面的相反侧,上述侧面与上述第1面及上述第2面相连。上述多个连接端子位于上述树脂部件中,包含在上述第1面或上述第2面露出的第1接触面、和与上述第1接触面相连且在上述侧面露出的第2接触面。
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公开(公告)号:CN110890340A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201811442394.0
申请日:2018-11-29
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/544 , H01L21/48
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体芯片、配置在上述半导体芯片的周围的多个连接端子、包括将上述半导体芯片与上述多个连接端子电连接的多个布线在内的基座部件、以及填充在配置于上述基座部件上的上述半导体芯片与上述多个连接端子之间的树脂部件。上述树脂部件具有第1面、第2面和侧面,上述第1面与上述半导体芯片的和上述基座部件接触的面相连,上述第2面位于上述第1面的相反侧,上述侧面与上述第1面及上述第2面相连。上述多个连接端子位于上述树脂部件中,包含在上述第1面或上述第2面露出的第1接触面、和与上述第1接触面相连且在上述侧面露出的第2接触面。
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