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公开(公告)号:CN114256219A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202110225631.3
申请日:2021-03-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H02P29/00
Abstract: 实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备:IC芯片,在第一面具有第一端子以及第二端子;和第一硅电容器,与所述IC芯片的所述第一面对置,并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。
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