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公开(公告)号:CN110310933B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN201810907422.5
申请日:2018-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂,上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接,所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。
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公开(公告)号:CN110310933A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201810907422.5
申请日:2018-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂,上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接,所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。
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