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公开(公告)号：CN85107077A
公开(公告)日：1986-10-01
申请号：CN85107077
申请日：1985-09-24
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/2333 , H01L21/4825 , H01L23/495 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48699 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2224/85447 , H01L2224/85909 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , Y10S228/904 , Y10T29/49121 , H01L2924/01204 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033
摘要： 本发明半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能，是因为以反应层厚度大于等于0.2(微米)的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极。本发明提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区，进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于0.2(微米)的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件。
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公开(公告)号：CN85107077B
公开(公告)日：1988-01-27
申请号：CN85107077
申请日：1985-09-24
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/2333 , H01L21/4825 , H01L23/495 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48699 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2224/85447 , H01L2224/85909 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , Y10S228/904 , Y10T29/49121 , H01L2924/01204 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033
摘要： 本发明半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能，是因为以反应层厚度大于等于０．２（微米）的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极。本发明提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区，进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于０．２（微米）的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件。
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