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公开(公告)号：CN1870280A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610089849.6
申请日：2006-05-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621
Abstract: 本发明提供半导体光传感器装置，具有半导体基板；第一光电二极管，形成在半导体基板上；第二光电二极管，形成在半导体基板上；第一放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第一光电二极管的光电流；第二放大电路，形成在半导体基板上，放大来自第二光电二极管的光电流，并具有与第一放大电路大致相同的放大特性；红外透射滤波器，设置在第二光电二极管上，使入射光中的可见光成分相对于红外光成分相对衰减；减法运算电路，形成在半导体基板上，输出第一放大电路的输出和第二放大电路的输出的差值；半导体基板上，第一光电二极管的中心和第二光电二极管的中心关于通过半导体基板中心的直线实质上对称地配置。
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公开(公告)号：CN1783502A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510103944.2
申请日：2005-09-19
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种可进行跨越数勒克司到数万勒克司的宽范围的照度检测的半导体光学传感装置。半导体光学传感装置具备：多个光电二极管部，具有相互不同的照度－输出特性；转换器，用于根据照射到上述光电二极管部上的入射光的照度，来选择上述多个光电二极管部的某一个；输出部，用来将来自所选择的上述光电二极管部的输出信号，通过上述转换器进行输出。
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公开(公告)号：CN101026175A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078982.6
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/144 , H01L31/10 , H01L31/0232
CPC classification number: G01J1/32 , G01J1/0488
Abstract: 根据本发明，提供一种半导体光电传感器，包括：形成在半导体衬底的表面部分中的第一光电检测器和第二光电检测器；第一树脂层，其形成在第一光电检测器的光接收区上，并且包括第一光谱灵敏度特性；第二树脂层，形成在第二光电检测器的光接收区上，并且包括第二光谱灵敏度特性；以及运算电路，其在来自第一光电检测器的第一个输出和来自第二光电检测器的第二输出之间执行预定的运算，并且输出该运算的结果，其中第一光谱灵敏度特性是出去短波区中的波长分量的特性，而第二光谱灵敏度特性是出去红外区中的波长分量的特性。
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公开(公告)号：CN1591911A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410075205.2
申请日：2004-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01J1/44 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种半导体光传感器及利用它的携带式终端，既能降低半导体光传感器的功耗，又能改善从等待状态转移动到工作状态时的响应特性。在等待状态时，向光电二极管电流运算电路(110)和初级的电流放大器(112)供给电源电压使其工作，但不向第二级以后的电流放大器(114、116)供给电源电压而使其不工作。然后，在进行键操作等作为触发的操作而从等待状态转移动到工作状态时，也向第二级以后的电流放大器供给电源电压，使其工作。并且，在读入半导体光传感器的输出电流之后，再次停止向第二级以后的电流放大器(114、116)的电源电压的供给。
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公开(公告)号：CN105375986B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510083507.2
申请日：2015-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04B10/60 , H03K19/0175
CPC classification number: H04B10/00 , H03F3/082 , H03F2200/78 , H04B10/6931
Abstract: 本发明提供一种难以产生错误输出且稳定地进行动作的光接收电路和光耦合装置。根据一个实施方式，光接收电路包括：第一受光元件，输出第一电流信号；反相放大电路，具有与所述第一受光元件相连接的输入端子和输出基于所述第一电流信号的电压信号的输出端子；第一电阻元件和第二电阻元件，在所述输入端子与所述输出端子之间串联连接；第三电阻元件和电容器，在所述第一电阻元件和所述第二电阻元件间的连接点与基准电位之间串联连接；以及充电电路，利用基于所述第一电流信号而输出的电流，对所述电容器进行充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424880C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510103944.2
申请日：2005-09-19
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种可进行跨越数勒克司到数万勒克司的宽范围的照度检测的半导体光学传感装置。半导体光学传感装置具备：多个光电二极管部，具有相互不同的照度-输出特性；转换器，用于根据照射到上述光电二极管部上的入射光的照度，来选择上述多个光电二极管部的某一个；输出部，用来将来自所选择的上述光电二极管部的输出信号，通过上述转换器进行输出。
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公开(公告)号：CN1324825C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200310117935.X
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 铃永浩
CPC classification number: H03G3/3084 , H04B10/69
Abstract: 本发明提供一种光信号接收电路及光信号接收半导体器件，可以降低光信号接收电路的输出信号上产生的脉冲宽度失真。在变压器阻抗放大器(14、16)和差动放大器(20)之间设置电平移动电路(60)。在光电二极管(10)检测到光信号的光时，电平移动电路(60)使电压信号S1朝着与作为变压器阻抗放大器(14)的输出的电压信号S1变化的方向即振动方向相反的方向移动。这样一来，作为基准电压的电压信号S2位于电压信号S12的振幅的中央部分，可以防止差动放大器饱和工作时的影响波及输出信号。另外，即使在电压信号S1上产生拖尾(40)，也可以防止差动放大器受其影响，可以降低作为输出信号的数字信号上产生的脉冲宽度失真。
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公开(公告)号：CN1604712A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410085598.5
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05F3/265 , G09G3/3406 , G09G2360/145 , H05B33/0827
Abstract: 本发明实施例的发光二极管驱动电路包括：配置成提供恒定电压的恒定电压源；电流产生电路，它配置成根据恒定电压源提供的恒定电压产生对与外部端子连接的阻抗电路的阻抗值敏感的电流；以及电流放大电路，它配置成对电流产生电路产生的电流进行放大，以便产生驱动发光二极管的驱动电流。
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公开(公告)号：CN105375986A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510083507.2
申请日：2015-02-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04B10/60 , H03K19/0175
CPC classification number: H04B10/00 , H03F3/082 , H03F2200/78 , H04B10/6931
Abstract: 本发明提供一种难以产生错误输出且稳定地进行动作的光接收电路和光耦合装置。根据一个实施方式，光接收电路包括：第一受光元件，输出第一电流信号；反相放大电路，具有与所述第一受光元件相连接的输入端子和输出基于所述第一电流信号的电压信号的输出端子；第一电阻元件和第二电阻元件，在所述输入端子与所述输出端子之间串联连接；第三电阻元件和电容器，在所述第一电阻元件和所述第二电阻元件间的连接点与基准电位之间串联连接；以及充电电路，利用基于所述第一电流信号而输出的电流，对所述电容器进行充电。
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公开(公告)号：CN101330083B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810125346.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/082 , H01L27/06 , H01L27/144 , G05F3/30
CPC classification number: G05F3/30 , H01L27/0207 , H01L27/0825
Abstract: 提供一种降低了因光照射导致的电压波动的带隙基准电压产生电路。该带隙基准电压产生电路的特征在于包括：由第1导电类型的半导体构成的基板；在上述基板上形成的第1晶体管；在上述基板上形成的、与上述第1晶体管基极共同连接的第2晶体管；在上述基板上形成的、具有第2导电类型、在上述第2晶体管的集电极层和上述基板之间并联连接的光吸收区；以及与上述第1晶体管的基极和第2晶体管的基极共同连接的基准电压输出端子，且上述第1晶体管的集电极层的面积比上述第2晶体管的上述集电极层的面积大。
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