公开(公告)号：CN104167998B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410208955.6

申请日：2014-05-16

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 关根裕之

IPC: H03F3/45 ,  A61B6/00 ,  H04N5/32

CPC classification number: H03F3/16 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14658 ,  H03F3/082 ,  H04N5/32 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明公开了一种放大器电路和使用放大器电路的图像传感器。现有技术中存在如下问题：在每个像素中包括放大器的图像传感器中，当使用薄膜半导体作为构成放大器的晶体管时，电压持续被施加在晶体管的源极和栅极之间，从而晶体管的阈值电压值发生改变，导致信号电压的变化。为了解决该问题，使用用氧化物半导体形成的薄膜晶体管作为构成放大器的晶体管，并且在输出放大器的输出的时段以外的时段期间，控制晶体管的源极电势等于其漏极电势。

公开(公告)号：CN107749744A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201711029804.4

申请日：2017-10-27

Applicant: 天津大学

Inventor： 毛陆虹 ,  周高磊 ,  谢生

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/08 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F1/3211 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/294 ,  H03F2203/45032 ,  H03F2203/45151 ,  H03F2203/45156

Abstract: 一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器，第一MOS管的栅极和第三MOS管的漏极通过第一电阻连接电源，第二MOS管的栅极和第四MOS管的漏极通过第四电阻连接电源，第一MOS管和第二MOS管的漏极对应通过第二电阻和第三电阻连接电源，第一MOS管的源极分别连接第二电容的一端、第五电阻的一端和单端电流信号输入端，第二MOS管的源极分别连接第一电容的一端和第六电阻的一端，第二电容的另一端连接第四MOS管的栅极，第五电阻和第六电阻的另一端接地，第一电容另一端连接第三MOS管的栅极，第三MOS管的源极和第四MOS管的源极均接地，第一MOS管和第二MOS管的漏极分别构成第一输出端和第二输出端。本发明提升跨阻放大器增益，降低噪声。

公开(公告)号：CN107666289A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710828960.0

申请日：2017-09-14

Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘学邦 ,  马瑞 ,  刘帘曦 ,  朱樟明

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/08 ,  H03F3/45 ,  H03G3/30

CPC classification number: H03F1/3211 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45179 ,  H03F2203/45031 ,  H03F2203/45051 ,  H03F2203/45344 ,  H03G3/3084

Abstract: 本发明涉及一种高增益大线性动态范围跨阻放大器，包括：电流镜式跨阻前置放大器、电流复用反相器形式跨阻放大器、高通滤波器及可变增益放大电路；其中，电流镜式跨阻前置放大器与电流复用反相器形式跨阻放大器均电连接信号输入端IN；高通滤波器分别电连接电流镜式跨阻前置放大器与电流复用反相器形式跨阻放大器；可变增益放大电路电连接高通滤波器并电连接信号输出端OUT。本发明通过串联在电路中的开关管切换两种不同结构的跨阻放大器，实现不同的增益模式，扩大了输入电流信号的线性动态范围；此外，本发明提供的高增益大线性动态范围跨阻放大器，结构与控制策略均简单。

公开(公告)号：CN107104643A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710488082.2

申请日：2017-06-23

Applicant: 千度芯通(厦门)微电子科技有限公司

Inventor： 范樟 ,  李景虎 ,  涂航辉

IPC: H03F1/42 ,  H03F3/08

CPC classification number: H03F1/42 ,  H03F3/082

Abstract: 减小光电二极管寄生电容电路，属于集成电路下跨阻放大器中的带宽延展技术领域，本发明为解决常见的光电二极管与跨阻放大器连接方式中光电二极管的寄生电容影响跨阻放大器‑3dB带宽的问题。本发明包括误差放大器A0、NMOS晶体管MN1～MN4、电阻R0、电阻R1～R4、电容C1～C3；并联在光电二极管两端，产生负电容使TIA的输入电容减小，延展其带宽，进而降低电路的设计难度。

公开(公告)号：CN106982034A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710019441.X

申请日：2017-01-11

Applicant: 厦门优迅高速芯片有限公司

Inventor： 彭慧耀 ,  陈伟

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/08 ,  H03F3/45 ,  H04B10/69

CPC classification number: H03F1/3211 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45179 ,  H04B10/6933

Abstract: 本发明提供了一种带有直流失调补偿功能的直流恢复电路，包括：跨阻放大器、差分放大器、误差放大器、虚拟放大器以及一开关管M0；所述跨阻放大器、虚拟放大器的输出端分别连接至所述差分放大器；所述误差放大器包括两组正极和负极输入端；其中一组正极和负极输入端分别连接至所述跨阻放大器和虚拟放大器的输出端，另一组正极和负极输入端分别连接至所述差分放大器的两个输出端；所述误差放大器的输出端连接至开关管M0的栅极，开关管M0的源极接地，漏极与跨阻放大器的输入端连接。本发明提供了一种带有直流失调补偿功能的直流恢复电路,保留原有直流恢复电路的基础上，采用多路反馈，对电路进行直流失调补偿，减小输出信号失真。

公开(公告)号：CN102346068B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110127062.5

申请日：2011-05-06

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 宇都宫文靖 ,  山崎太郎 ,  藤井勇

IPC: G01J1/44

CPC classification number: G01S7/497 ,  H03F3/082

Abstract: 本发明涉及检测光量变化的受光电路，提供一种次级的输入电路小型且低价而且消耗电流少的受光电路。构成为包括：漏极上被供给光电转换元件的电流的N沟道型MOS晶体管；和控制NMOS晶体管的栅极电压以使N沟道型MOS晶体管的漏极电压成为所希望的电压的控制电路，在NMOS晶体管的栅极电压的控制延迟量小于所希望的延迟量的情况下，控制电路输出的控制状态输出信号成为GND端子电压，在NMOS晶体管的栅极电压的控制延迟量在所希望的延迟量以上的情况下，控制电路输出的控制状态输出信号成为NMOS晶体管的漏极电压。

公开(公告)号：CN101796810A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880104195.7

申请日：2008-08-27

Applicant: 新成像技术公司

Inventor： Y·尼

IPC: H04N3/15

CPC classification number: H03F3/082 ,  H04N3/155 ,  H04N5/35509 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明涉及一种CMOS型有源像素结构(1)，包括：至少一个光电二极管(10)，其特征在于，还包括用于读取曝光时光电二极管(10)的演化阶段中的任何偏置电压的装置。

公开(公告)号：CN101212854A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710300487.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则

IPC: H05B37/02 ,  H03K17/94 ,  H03K17/78

CPC classification number: H03F3/082 ,  G09G3/3413 ,  G09G3/3622 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2310/06 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2320/064 ,  G09G2320/066 ,  G09G2340/16 ,  G09G2360/144

Abstract: 本发明的目的在于不通过扩大输出电压或输出电流的范围，来提供一种可检测的照度范围宽的光电转换装置、一种由光传感器的特性的不均匀性导致的输出不均匀性小的光电转换装置、一种耗电量小的光电转换装置、以及成品率高且制造成本低的光电转换装置。本发明包括一种半导体装置，其包括：光检测电路，包括将对应于照度的电流信号输出的光传感器以及将从光传感器输出的电流信号转换为电压信号的电流电压转换电路；将从光检测电路输出的电压信号放大的放大器；比较从放大器输出的电压与基准电压并将该结果输出到控制电路的比较电路；以及根据来自比较电路的输出确定进行检测的照度范围并将控制信号输出到光检测电路的控制电路，其中，电流电压转换电路根据控制信号改变电阻值。

公开(公告)号：CN106656061A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611253586.8

申请日：2016-12-30

Applicant: 光梓信息科技(上海)有限公司

Inventor： 胡上 ,  白睿 ,  王俊成 ,  姜培

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/08 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F1/26 ,  H03F1/301 ,  H03F3/082 ,  H03F3/45179

Abstract: 一种跨阻放大器，包含：伪差分跨阻放大器，其输入端输入光电流信号，其输出端为分别输出正极电压信号和负极电压信号，负电容两端分别连接伪差分跨阻放大器的两个输出端，负电阻两端分别连接伪差分跨阻放大器的两个输出端，工艺角检测器输出控制电压信号给负电阻。本发明采用CMOS工艺设计，提高放大器的增益和带宽，进而有效的提高了跨阻放大器的噪声性能，且采用PVT补偿技术来补偿工艺、电源电压和温度偏差对电路性能带来的影响。

公开(公告)号：CN106571782A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610371686.4

申请日：2016-05-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·拉迪切 ,  M·布鲁科勒里 ,  M·祖发达

IPC: H03F3/08

CPC classification number: H04B10/25073 ,  H03F1/083 ,  H03F1/086 ,  H03F1/42 ,  H03F3/08 ,  H03F3/082 ,  H03F3/087 ,  H03F3/4508 ,  H03F3/45085 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/36 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/498 ,  H03F2203/45112 ,  H03F2203/45134 ,  H03F2203/45138 ,  H03F2203/45142 ,  H03F2203/45288 ,  H03F2203/45638 ,  H03F2203/45726 ,  H03F2203/7236 ,  H04B10/6162

Abstract: 本公开涉及互阻抗放大器以及相关的集成电路和光学接收器。该互阻抗放大器包括用于接收正的恒定电源电压的第一和第二电源端子以及被适配成连接至电流源的输入端子，其中第二电源端子表示接地。互阻抗放大器还包括包含控制端子和两个另外的端子的晶体管，其中输入端子连接至第一晶体管的控制端子。电感器连接在晶体管的两个另外的端子中的第一端子与第一电源端子之间，并且偏置网络连接在晶体管的两个另外的端子中的第二端子与接地之间。具体地，互阻抗放大器被配置成使得所述第一晶体管的所述两个另外的端子中的所述第一端子与所述第一电源端子之间的电阻足够小，从而使得所述互阻抗放大器作为微分器操作。