公开(公告)号：CN104699546A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510111605.2

申请日：2007-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长富靖 ,  高岛大三郎 ,  初田幸辅 ,  管野伸一

IPC: G06F11/00 ,  G06F11/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明提供一种包括存储器系统和管理单元的系统，该管理单元安装于连接到存储器系统的主机，配置为决定存储器系统的状态；该存储器系统包括：半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，控制器，其配置为接收来自管理单元的要求与半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到管理单元以回应第1命令；其中，管理单元配置为使用第1信息和第2信息来计算半导体非易失性存储器的剩余寿命，让显示装置显示该计算出的剩余寿命，控制器配置为进一步接收来自管理单元的第2命令，将第4信息输出到上述管理单元以回应第2命令。

公开(公告)号：CN101622607A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006364.3

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 檜田敏克 ,  管野伸一 ,  矢野浩邦 ,  橘内和也 ,  浅野滋博 ,  矢野纯二

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC classification number: G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，其包括：非易失性半导体存储器，其按块来存储数据，所述块为数据擦除的单位；以及控制单元，其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计数，并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据。

公开(公告)号：CN101535967A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780042552.7

申请日：2007-11-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长富靖 ,  高岛大三郎 ,  初田幸辅 ,  管野伸一

IPC: G06F12/16 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/349 ,  G06F11/008 ,  G06F11/1068

Abstract: 本发明提供一种能够判别消耗度等存储器状态并且允许存储器被高效地使用的存储器系统。该存储器系统包括：NAND型快闪存储器1，在其中数据能够被电写入/擦除；非易失性存储器2，其对NAND型快闪存储器1的擦除操作次数进行计数，并且保存该擦除操作次数及最大擦除操作次数；以及控制器3，其具有从计算机4被提供自诊断命令的连接接口31，并根据该自诊断命令从非易失性存储器2获取上述擦除操作次数及最大擦除操作次数，并经由连接接口31将上述擦除操作次数及最大擦除操作次数输出到计算机4。