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公开(公告)号：CN1645256A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510003858.4
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1216403C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02153821.2
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , G03F9/02
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/70258 , G03F7/70458 , G03F7/70541 , G03F7/70633
Abstract: 使用扫描曝光装置，当在下层图形上重叠地形成上层图形之时，谋求提高重叠精度。在所用的各曝光装置，对控制晶片，检测各发射区内在扫描方向4个以上，而且步进方向4个以上矩阵排列形成的，多个标记位置信息的步骤；运算与从重叠层曝光使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息的各坐标分量的差分的步骤；由算出的差分，求出各自表示透镜象差参数的步骤；以及根据由求出的参数获得的校正参数，进行上述重叠曝光的步骤。
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公开(公告)号：CN100580558C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510003858.4
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。
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公开(公告)号：CN1400506A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02123399.3
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且掩膜图案包含排列成方格栅形的多个单位电路图案(11)和配置在该单位电路图案(11)间的多个单位辅助图案(12)，配置上述辅助图案(12)，以便在基于对应上述多个单位电路图案(11)以及上述多个单位辅助图案(12)所产生的衍射光的上述投影透镜的瞳面上的多个光点之中，使光强最强的4个光点在上述瞳面上按90度周期分布。
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公开(公告)号：CN1223905C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02123399.3
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且掩膜图案包含排列成方格栅形的多个单位电路图案(11)和配置在该单位电路图案(11)间的多个单位辅助图案(12)，配置上述辅助图案(12)，以便在基于对应上述多个单位电路图案(11)以及上述多个单位辅助图案(12)所产生的衍射光的上述投影透镜的瞳面上的多个光点之中，使光强最强的4个光点在上述瞳面上按90度周期分布。
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公开(公告)号：CN1421746A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02153821.2
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70525 , G03F7/70258 , G03F7/70458 , G03F7/70541 , G03F7/70633
Abstract: 使用扫描曝光装置，当在下层图形上重叠地形成上层图形之时，谋求提高重叠精度。在所用的各曝光装置，对控制晶片，检测各发射区内在扫描方向4个以上，而且步进方向4个以上矩阵排列形成的，多个标记位置信息的步骤；运算与从重叠层曝光使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息的各坐标分量的差分的步骤；由算出的差分，求出各自表示透镜象差参数的步骤；以及根据由求出的参数获得的校正参数，进行上述重叠曝光的步骤。
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