半导体存储装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101013602B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200710006984.4

    申请日:2007-01-31

    Abstract: 公开了一种半导体存储装置,具备:具有多个存储单元的存储单元阵列;把包含“0”和“1”的测试模式数据在多个存储单元中按照每页写入、对多个存储单元进行测试的BIST电路;保持从多个存储单元中按照每页读出的多个数据的读出放大器;一并检测保持在读出放大器中的多个数据,把检测结果输出到上述BIST电路的检测电路。

    半导体存储装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101013602A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200710006984.4

    申请日:2007-01-31

    Abstract: 公开了一种半导体存储装置,具备:具有多个存储单元的存储单元阵列;把包含“0”和“1”的测试模式数据在多个存储单元中按照每页写入、对多个存储单元进行测试的BIST电路;保持从多个存储单元中按照每页读出的多个数据的读出放大器;一并检测保持在读出放大器中的多个数据,把检测结果输出到上述BIST电路的检测电路。

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