公开(公告)号：CN1505173A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118754.9

申请日：2003-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上智树 ,  杉山公一 ,  二宫英彰 ,  小仓常雄

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/72 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明提供一种具有优良逆恢复特性的半导体器件，其具备：基极层，具有第1主表面和与第1主表面相对的第2主表面，由第1导电型半导体构成；第1主电极层，在第1主表面与基极层连接；控制区，贯通第1主电极层，布置在达到基极层内的槽的内部；第2主电极层，在第2主表面与基极层连接，由第1导电型半导体构成。

公开(公告)号：CN1309093C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310118754.9

申请日：2003-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上智树 ,  杉山公一 ,  二宫英彰 ,  小仓常雄

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/72 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明提供一种具有优良逆恢复特性的半导体器件，其具备：基极层，具有第1主表面和与第1主表面相对的第2主表面，由第1导电型半导体构成；第1主电极层，在第1主表面与基极层连接；控制区，贯通第1主电极层，布置在达到基极层内的槽的内部；第2主电极层，在第2主表面与基极层连接，由第1导电型半导体构成。

公开(公告)号：CN1240104C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN99106655.3

申请日：1999-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村一郎 ,  斋藤凉夫 ,  大桥弘通 ,  土门知一 ,  杉山公一 ,  西蒙·爱希尔 ,  小仓常雄 ,  A·J·迪阿斯 ,  J·M·J·福莱彻特 ,  S·B·洛斯克

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/70

CPC classification number: H03K17/567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H03K17/12 ,  H03K17/127 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高电流密度的稳定性，阻止电流集中和振荡，以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时，在主电流移动至下降时间之前，将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下，提供在主电极间的电压上升前停止电子注入，可以提高电流密度的稳定性，阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。

公开(公告)号：CN1236183A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106655.3

申请日：1999-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村一郎 ,  斋藤凉夫 ,  大桥弘通 ,  土门知一 ,  杉山公一 ,  西蒙·爱希尔 ,  小仓常雄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H03K17/567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H03K17/12 ,  H03K17/127 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡,以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时,在主电流移动至下降时间之前,将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下,提供在主电极间的电压上升前停止电子注入,可以提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。