公开(公告)号：CN100388509C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN03805205.9

申请日：2003-01-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  大桥弘通

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 一种功率半导体器件包括：非掺杂的GaN沟道层(1)、形成在沟道层(1)上的n型Al0.2Ga0.8N阻挡层(2)、有选择地形成在阻挡层(2)上的p型Al0.1Ga0.9N半导体层(3)、位于半导体层(3)两侧之一上并形成在阻挡层(2)上的漏电极(4)、在至少半导体层(3)和漏电极(4)之间在与半导体层(3)相邻的阻挡层(2)上形成的绝缘膜(7)、和形成在绝缘膜(7)上的场板电极(8)。

公开(公告)号：CN1639875A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805205.9

申请日：2003-01-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  大村一郎 ,  大桥弘通

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 一种功率半导体器件包括：非掺杂的GaN沟道层(1)、形成在沟道层(1)上的n型Al0.2Ga0.8N阻挡层(2)、有选择地形成在阻挡层(2)上的p型Al0.1Ga0.9N半导体层(3)、位于半导体层(3)两侧之一上并形成在阻挡层(2)上的漏电极(4)、在至少半导体层(3)和漏电极(4)之间在与半导体层(3)相邻的阻挡层(2)上形成的绝缘膜(7)、和形成在绝缘膜(7)上的场板电极(8)。

公开(公告)号：CN1240104C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN99106655.3

申请日：1999-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村一郎 ,  斋藤凉夫 ,  大桥弘通 ,  土门知一 ,  杉山公一 ,  西蒙·爱希尔 ,  小仓常雄 ,  A·J·迪阿斯 ,  J·M·J·福莱彻特 ,  S·B·洛斯克

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/70

CPC classification number: H03K17/567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H03K17/12 ,  H03K17/127 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高电流密度的稳定性，阻止电流集中和振荡，以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时，在主电流移动至下降时间之前，将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下，提供在主电极间的电压上升前停止电子注入，可以提高电流密度的稳定性，阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。

公开(公告)号：CN1236183A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106655.3

申请日：1999-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村一郎 ,  斋藤凉夫 ,  大桥弘通 ,  土门知一 ,  杉山公一 ,  西蒙·爱希尔 ,  小仓常雄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H03K17/567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H03K17/12 ,  H03K17/127 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡,以实现可靠性的提高。本发明通过在关断时,在主电流移动至下降时间之前,将控制电极的电压下降至半导体元件的阈值电压Vth以下,提供在主电极间的电压上升前停止电子注入,可以提高电流密度的稳定性,阻止电流集中和振荡等来提高可靠性的半导体元件、及其驱动方法和驱动装置。