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公开(公告)号：CN110416205B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910675969.1
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN111640790B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910619462.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置，具备：第一电极、第二电极、碳化硅层、和与第二碳化硅区域对置的栅极电极。碳化硅层具有：第1导电型的第一碳化硅区域，设在第一电极与第二电极之间，具有第一面和第二面；第一碳化硅区域与第一面之间的第2导电型的第二碳化硅区域；第一碳化硅区域与第一面之间的、与第二碳化硅区域分离的第2导电型的第三碳化硅区域；第二碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第1导电型的第四碳化硅区域、第二碳化硅区域与第三碳化硅区域之间的、第1导电型杂质浓度比第一碳化硅区域高的第1导电型的第五碳化硅区域；以及第五碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第2导电型的第六碳化硅区域。
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公开(公告)号：CN113394289A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010951166.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。
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公开(公告)号：CN110911470A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910110909.5
申请日：2019-02-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的碳化硅层、第1面侧的第1电极、第2面侧的第2电极、第1导电型的第1碳化硅区域、第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域及第3碳化硅区域、第1碳化硅区域与第2碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第5碳化硅区域、第1碳化硅区域与第3碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第6碳化硅区域、第5碳化硅区域与第6碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第5碳化硅区域及第6碳化硅区域低的第7碳化硅区域、第7碳化硅区域与第1面之间的和第1电极接触的第1导电型的第8碳化硅区域、栅极电极、以及栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN110416205A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910675969.1
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024782A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN116169173A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211074679.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种浪涌电流耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含具有与第一面相接的第一部分的n型的第一碳化硅区域、p型的第二碳化硅区域、n型的第三碳化硅区域、与第一部分、第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域相接的第一电极、与第二面相接的第二电极以及栅极电极。二极管区域包含：具有与第一面相接的第二部分的n型的第一碳化硅区域；p型的第四碳化硅区域；与第二部分以及第四碳化硅区域相接的第一电极；以及第二电极。第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积大于第二碳化硅区域的每单位面积的占有面积。另外，第一二极管区域设置在第一晶体管区域与第二晶体管区域之间。
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公开(公告)号：CN115911085A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210015164.6
申请日：2022-01-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
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公开(公告)号：CN106024782B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN113394289B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010951166.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。
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