非易失性半导体存储器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1822234A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200510129684.6

    申请日:2005-12-16

    CPC classification number: G11C17/16 G11C17/18

    Abstract: 一种通过破坏存储元件的绝缘膜来将信息编程的非易失性半导体存储器,包括:单元阵列,由多个包括所述存储元件以及与所述存储元件串联的选择开关的存储单元排列成点阵状而构成;行选择控制电路,分别将与所述单元阵列中的规定数量的所述多个存储单元连接的行选择线激活;以及,写入控制电路,根据写入数据,一位一位地控制被所述行选择控制电路激活、与所期望的所述行选择线连接的所述规定数量的存储单元分别连接的数据线的电压。

    半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1665138A

    公开(公告)日:2005-09-07

    申请号:CN200510053190.4

    申请日:2005-03-02

    CPC classification number: H03K5/153 H03K3/356182

    Abstract: 半导体器件具有以第1电源电压动作、并输出具有与所述第1电源电压相同振幅的第1数字信号的第1电路模块;输入所述第1数字信号并将所述第1数字信号的振幅变换为与第2电源电压相同振幅、然后将所述振幅经过变换的所述第1数字信号作为第2数字信号从输出端输出的电平变换电路;以所述第2电源电压动作、并输入所述第2数字信号的第2电路模块;以及在所述第1电源电压低于规定电压电平时、产生使所述电平变换电路的输出端成为规定电位的第1信号的监视电路。

Patent Agency Ranking