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公开(公告)号：CN111805433B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010226645.2
申请日：2020-03-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明公开一种研磨装置以及研磨方法。研磨装置对在膜状的基材的表面形成的被研磨物进行研磨。研磨装置具有：研磨工具，其能够旋转，以作用于被研磨物；浆料喷嘴，其用于供给研磨浆料；以及研磨台，其用于将研磨工具按压于所述被研磨物。研磨台的表面被赋予了凹凸形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701215A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410609721.2
申请日：2014-11-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种对来自切片基座的晶片进行剥离的晶片剥离装置。晶片剥离装置将借助粘接剂粘接于切片基座的多个晶片从所述切片基座剥离，具备：积存液体的槽；朝向借助所述切片基座而浸渍于所述槽内的液体中的所述多个晶片的侧面喷射液体的第一喷嘴；配置在所述槽内且收容从所述切片基座剥离了的晶片的托盘；经由设在所述托盘的侧面或者底面的开口部而吸引所述托盘内的液体的吸引口。
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公开(公告)号：CN104701215B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410609721.2
申请日：2014-11-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种对来自切片基座的晶片进行剥离的晶片剥离装置。晶片剥离装置将借助粘接剂粘接于切片基座的多个晶片从所述切片基座剥离，具备：积存液体的槽；朝向借助所述切片基座而浸渍于所述槽内的液体中的所述多个晶片的侧面喷射液体的第一喷嘴；配置在所述槽内且收容从所述切片基座剥离了的晶片的托盘；经由设在所述托盘的侧面或者底面的开口部而吸引所述托盘内的液体的吸引口。
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公开(公告)号：CN111805433A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010226645.2
申请日：2020-03-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明公开一种研磨装置以及研磨方法。研磨装置对在膜状的基材的表面形成的被研磨物进行研磨。研磨装置具有：研磨工具，其能够旋转，以作用于被研磨物；浆料喷嘴，其用于供给研磨浆料；以及研磨台，其用于将研磨工具按压于所述被研磨物。研磨台的表面被赋予了凹凸形状。
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公开(公告)号：CN103811381B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201310549737.4
申请日：2013-11-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L21/67057 , B32B43/006 , H01L21/67092 , Y10T156/1111 , Y10T156/1126 , Y10T156/1153 , Y10T156/1911 , Y10T156/1933
Abstract: 本发明提供一种容易从切片基底剥离晶片的晶片剥离装置及晶片剥离方法。晶片剥离装置为将利用粘接剂粘接于切片基底的多张晶片从所述切片基底剥离的晶片剥离装置，其中具有：水槽，其对水进行储存；保持部，其将粘接有所述晶片的所述切片基底保持为使所述晶片浸渍于所述水槽的水中；第一喷嘴，其向浸渍于所述水槽的水中的晶片的侧面喷射水；托盘，其配置在所述水槽内，并收容从所述切片基底剥离了的晶片。
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公开(公告)号：CN104183476B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410065865.6
申请日：2014-02-26
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/301 , B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种切削残余部除去装置，其目的在于提高晶片的生产成品率。根据本发明，第一喷嘴(30)喷射流体而在切削残余部(601)与晶片列(60)之间设置间隙，保持臂(710)使切削残余部(601)旋转，而扩宽切削残余部(601)与晶片列(60)之间的间隙且使切片基座(50)与切削残余部(601)剥离，使切削残余部(601)向与切削残余部(601)分开的方向移动，从而能将切削残余部(601)从切片基座(50)除去。由此，在取出晶片(600)时，能抑制晶片(600)与切削残余部(601)接触而产生的晶片(600)的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提高晶片的生产成品率。
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