公开(公告)号：CN1953168B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200610135629.2

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 老田成志 ,  中野高宏 ,  宫原义仁 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  门崎幸一 ,  关和光

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。

公开(公告)号：CN1953168A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610135629.2

申请日：2006-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 老田成志 ,  中野高宏 ,  宫原义人 ,  吉江崇 ,  佐藤晴信 ,  门崎幸一 ,  关和光

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。

公开(公告)号：CN100483707C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200580000327.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  门崎幸一

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体器件的Pd-PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn-Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn-Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。

公开(公告)号：CN1774803A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200580000327.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 关和光 ,  吉江崇 ,  门崎幸一

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种用于半导体器件的Pd－PPF结构的引线框架，包括内引线和外引线，其中构成所述引线框架的衬底的整个表面或至少所述外引线具有复合镀层，所述复合镀层包括由在构成所述引线框架的所述衬底的所述整个表面上或在至少所述外引线上沉积的基于Ni的镀层构成的下层，在所述下层的上表面上沉积的厚度为0.005至0.01μm的Pd或Pd合金镀层，以及在所述Pd或Pd合金镀层的上表面上沉积的厚度为0.02至0.1μm的Au镀层。当通过利用无铅的基于Sn－Zn焊料或任何其它无铅焊料在封装衬底上安装半导体器件时，改善了所述引线框架与所述无铅的基于Sn－Zn的焊料或任何其它无铅焊料之间的润湿性，从而改善了所述半导体器件的封装特性。