公开(公告)号：CN100514621C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610055040.1

申请日：2006-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大隅贵寿 ,  阪下靖之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，在连接电极(5)往下的内部配置1个或多个加固用通路(7)或加固用金属层。由此，提高对安装半导体元件(3)时的负载的强度，抑制连接电极(5)沉陷，因而能使半导体器件的连接应力减小，抑制连接部形变，可增加工序设计自由度。

公开(公告)号：CN1828882A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610055040.1

申请日：2006-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大隅贵寿 ,  阪下靖之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，在连接电极(5)往下的内部配置1个或多个加固用通路(7)或加固用金属层。由此，提高对安装半导体元件(3)时的负载的强度，抑制连接电极(5)沉陷，因而能使半导体器件的连接应力减小，抑制连接部形变，可增加工序设计自由度。