公开(公告)号：CN110578170B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910438215.4

申请日：2019-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 信冈政树 ,  宫野谦太郎 ,  领木直矢 ,  旭雄大 ,  上田章雄

IPC: H01S5/02 ,  C30B29/22 ,  C30B15/22 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。

公开(公告)号：CN110578170A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910438215.4

申请日：2019-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 信冈政树 ,  宫野谦太郎 ,  领木直矢 ,  旭雄大 ,  上田章雄

IPC: C30B29/22 ,  C30B15/22 ,  H01L33/16 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明涉及一种ScAlMgO4单晶及器件，以提供高品质的ScAlMgO4单晶及器件为课题。ScAlMgO4单晶含有Sc、Al、Mg和O，由电感耦合等离子体发射光谱分析法测定的Mg和Al的原子百分率之比即Mg/Al(原子％/原子％)为大于1且小于1.1。

公开(公告)号：CN110284183B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910197077.5

申请日：2019-03-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫野谦太郎 ,  柳田直人 ,  领木直矢 ,  旭雄大 ,  信冈政树

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法，其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板，将基板的中心设为坐标(0，0)，且将测定光束的宽度设为1mm×7mm，在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x‑m，0)到(xm，0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0，y‑n)到(0，yn)的坐标位置进行分析时，各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒，其中，m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。

公开(公告)号：CN110284183A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910197077.5

申请日：2019-03-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫野谦太郎 ,  柳田直人 ,  领木直矢 ,  旭雄大 ,  信冈政树

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法，其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板，将基板的中心设为坐标(0，0)，且将测定光束的宽度设为1mm×7mm，在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x-m，0)到(xm，0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0，y-n)到(0，yn)的坐标位置进行分析时，各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒，其中，m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。