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公开(公告)号:CN110284183B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN201910197077.5
申请日:2019-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法,其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板,将基板的中心设为坐标(0,0),且将测定光束的宽度设为1mm×7mm,在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x‑m,0)到(xm,0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0,y‑n)到(0,yn)的坐标位置进行分析时,各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒,其中,m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。
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公开(公告)号:CN110284183A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910197077.5
申请日:2019-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种ScAlMgO4单晶基板及其制造方法,其能够减少晶向的错乱。提供一种ScAlMgO4单晶基板,将基板的中心设为坐标(0,0),且将测定光束的宽度设为1mm×7mm,在用X射线衍射法分别对在x轴方向上以1mm的间隔从(x-m,0)到(xm,0)和在y轴方向上以1mm的间隔从(0,y-n)到(0,yn)的坐标位置进行分析时,各所述坐标位置处的摇摆曲线的半峰全宽的最差值小于20秒,其中,m及n是使所述测定光束收敛在不超出基板的范围内的整数。
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