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公开(公告)号：CN103430305A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201380000513.6
申请日：2013-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49531 , H01L23/49548 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48464 , H01L2224/49175 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 树脂封装（200）具备：主面安装有半导体元件（203）及匹配电路基板（204）的晶片托盘（201）；与半导体元件（203）及匹配电路基板（204）电连接的至少一个引线端子（202a及202b）；固定于晶片托盘（201）的主面及引线端子的主面中的至少一个主面的薄板（206、216a及216b）；以及覆盖半导体元件（203）及匹配电路基板（204）、以及薄板（206、216a及216b）的铸型树脂（207）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703682A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201380002337.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/601 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 高频放大电路（1）为，在封装（112）内的安装面上具备晶体管（101）和输出侧匹配电路（103），输出侧匹配电路（103）具备经由第一导线（121）被传递来自晶体管（101）的高频信号的第一分布常量线路（105）、经由第二导线（122）将来自第一分布常量线路（105）的高频信号向封装（112）外部传送的平板状的引线端子（106）、以及一个电极经由第三导线（123）与引线端子（106）连接而另一个电极接地的电容元件（108），引线端子（106）的里面与树脂衬底接合，以电容元件（108）和第一分布常量线路（105）的排列方向与第一分布常量线路（105）和引线端子（106）的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件（108）和第一分布常量线路（105）相邻接配置。
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公开(公告)号：CN102934518B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201280001529.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/686 , H05B6/705 , H05B2206/044 , Y02B40/143 , Y02B40/146
Abstract: 高频加热装置（100）具备：多个高频功率发生单元（102x）；以及控制部（103），从能够对高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，使得仅从一部分放射所述高频；在一部分高频功率发生单元停止的情况下等，也能够使用剩余的高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的加热。
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公开(公告)号：CN104025292A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280012054.9
申请日：2012-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种安装了高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。本发明的半导体封装（1）具备：半导体元件（12），输入或输出高频信号；平板状的引线端子（13），一端与半导体元件（12）的输入端子或输出端子电连接；封固用树脂（16），将引线端子（13）和半导体元件（12）封固，使得引线端子（13）的另一端露出；接地强化用金属体（15），被封固用树脂（16）封固，使得第1主面对置于引线端子（13）、第2主面从封固用树脂（16）露出。
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公开(公告)号：CN102934518A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201280001529.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/686 , H05B6/705 , H05B2206/044 , Y02B40/143 , Y02B40/146
Abstract: 高频加热装置（100）具备：多个高频功率发生单元（102x）；以及控制部（103），从能够对高频功率发生单元分别设定的频率或相位的值中，选择在所述多个高频功率发生单元的仅一部分放射所述高频时适合的频率或相位的值，使得仅从一部分放射所述高频；在一部分高频功率发生单元停止的情况下等，也能够使用剩余的高频功率发生单元来对被加热物进行最佳的加热。
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公开(公告)号：CN102474228A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080027856.8
申请日：2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/32 , H03F1/3205 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/108 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/423 , H03F2203/7215
Abstract: 高频功率放大器具有：对第一频率的高频信号进行放大的晶体管(104)；与晶体管(104)的输入端侧连接的输入匹配电路(102)；与晶体管(104)的输出端侧连接的输出匹配电路(105)；一端侧与晶体管(104)的输出端连接且另一端侧与输出匹配电路(105)的输入端及偏置端子(103)连接的电抗控制电路(107)。电抗控制电路(107)具有与晶体管(104)的输出端中的该晶体管(104)的寄生电容分量之间以第二频率发生谐振的电抗。第二频率是与第一频率相同的频率或第一频率附近的频率。
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