公开(公告)号：CN1637939B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200410082185.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/401 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/785

Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。

公开(公告)号：CN1122309C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN99106236.1

申请日：1999-05-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内木场俊贵 ,  坂上雅彦 ,  山本章裕

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在与基准电压Vss连接的p型半导体基板上，相隔一定间隔形成第1个n型高浓度扩散层以及第2个n型高浓度扩散层，在第1个n型高浓度扩散层的直下区域形成第1个n型低浓度扩散层，同时在第2个n型高浓度扩散层的直下区域形成第2个n型低浓度扩散层。第1金属层以及高阻抗导电层与输入端子和第1个n型高浓度扩散层连接，第2金属层与供给基准电压Vss的基准电压端子VSP和第2个n型高浓度扩散层连接。

公开(公告)号：CN1637939A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082185.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/401 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/785

Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。

公开(公告)号：CN1607608A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410075274.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  G11C11/22

Abstract: 一种具有半导体衬底的半导体存储器件，包括多个参考单元4和多条位线10。参考单元4形成在半导体衬底的预定区域的中心线附近的区域中，该中心线与位线10相垂直。位线10形成对，每一对由两条相邻的位线组成。每一对中的两条位线10具有第一平行状态和第二平行状态，在第二平行状态中，两条位线的位置与第一平行状态中的位置颠倒。每个位线对10具有至少一个交叉部分11，其中一对位线10相互交叉的，以在第一平行状态和第二平行状态之间转换。在半导体衬底的预定区域提供交叉部分11，使得第一平行状态中的位线10长度等于第二平行状态中的位线10长度。该半导体存储器件的尺寸缩小了。

公开(公告)号：CN1822228A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610003714.3

申请日：2006-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  平野博茂 ,  中熊哲治 ,  三木隆 ,  五宝靖 ,  山冈邦吏 ,  村久木康夫

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1063 ,  G11C2207/229

Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。

公开(公告)号：CN1700473A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072630.0

申请日：2005-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈邦吏 ,  平野博茂 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  中熊哲治 ,  三木隆

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。

公开(公告)号：CN100501867C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610003714.3

申请日：2006-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  平野博茂 ,  中熊哲治 ,  三木隆 ,  五宝靖 ,  山冈邦吏 ,  村久木康夫

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C11/4076 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1063 ,  G11C2207/229

Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。

公开(公告)号：CN100437819C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510072630.0

申请日：2005-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈邦吏 ,  平野博茂 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  中熊哲治 ,  三木隆

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。