公开(公告)号：CN1649101A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410089891.9

申请日：2004-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  山口恒夫 ,  田村彰良

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31133 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明是以提供一种不会使化合物半导体装置的特性降低而可以去除有机残留物的化合物半导体装置的制造方法为目的。在露出的i型AlGaAs肖特基层(105)上蒸镀由Ti/Al/Ti构成的肖特基电极(111)，使用剥离液进行提离后，用臭氧浓度为13mg/L的臭氧水和氢离子浓度为6～8的氢水之中的一种或两种在避光状态下对i型AlGaAs肖特基层(105)表面进行清洗。

公开(公告)号：CN1755932A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510106458.6

申请日：2005-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的在于提供可以改善饱和电压特性的半导体电阻元件及其制造方法。本发明的半导体电阻元件和GaAs FET形成在同一基板上，所述的有源元件具有沟道层、在沟道层上形成的由不掺杂的InGaP构成的肖特基层、以及在肖特基层上形成的接触层，该半导体电阻元件具有活性区域以及在所述接触层上形成的2个欧姆电极，所述的活性区域具有由与GaAs FET分离的接触层的一部分构成的接触层、与GaAs FET分离的肖特基层以及沟道层的一部分，在所述2个欧姆电极之间露出有与GaAs FET分离的肖特基层。