公开(公告)号：CN1498067A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101496.3

申请日：2003-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 齐藤隆一 ,  三田伦久 ,  佐伯英史 ,  胜村英则

IPC: H05K3/46 ,  B23K26/00

CPC classification number: H05K3/0029 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/52 ,  H05K1/0306 ,  H05K2203/0156 ,  H05K2203/1383

Abstract: 一种陶瓷生片的孔加工方法，向陶瓷生片(3)上照射功率的最小值大于最大值的60％的高峰值短脉冲型激光，形成孔。由此，陶瓷生片的材料就不会部分熔融并残留附着在孔的周围。这种在陶瓷生片上形成孔的方法，在层压生片并烧结后，在孔中形成的转接电极的周围不会产生结构上的缺陷。

公开(公告)号：CN1327749C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200310101496.3

申请日：2003-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 齐藤隆一 ,  三田伦久 ,  佐伯英史 ,  胜村英则

IPC: H05K3/46 ,  B23K26/00

CPC classification number: H05K3/0029 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/52 ,  H05K1/0306 ,  H05K2203/0156 ,  H05K2203/1383

Abstract: 一种陶瓷生片的孔加工方法，向陶瓷生片(3)上照射功率的最小值大于最大值的60%的高峰值短脉冲型激光，形成孔。由此，陶瓷生片的材料就不会部分熔融并残留附着在孔的周围。这种在陶瓷生片上形成孔的方法，在层压生片并烧结后，在孔中形成的转接电极的周围不会产生结构上的缺陷。