公开(公告)号：CN1319239A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN00801533.3

申请日：2000-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仓光秀纪 ,  长井淳夫 ,  坂口佳也 ,  三浦克之

IPC: H01G4/30

Abstract: 制造陶瓷电子元件的方法包括:第一工艺,提供至少包含陶瓷成分和聚乙烯的陶瓷片以及提供在一基底膜上形成的导电层;第二工艺,把导电层堆叠在陶瓷片上并加压,然后剥离基底膜;第三工艺,把陶瓷片置于导电层上;第四工艺,把导电层堆叠在陶瓷片上并加压,然后剥离基底膜;第五工艺,通过重复第三和第四工艺来形成层叠体;以及第六工艺,烧结层叠体。可避免多层陶瓷电子元件中的电极层之间的短路。增加成品率。本方法在生产层叠大量层且层厚非常薄的多层陶瓷电容器时尤其有效。

公开(公告)号：CN1206677C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN00801533.3

申请日：2000-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 仓光秀纪 ,  长井淳夫 ,  坂口佳也 ,  三浦克之

IPC: H01G4/30

Abstract: 制造陶瓷电子元件的方法包括：第一工艺，提供至少包含陶瓷成分和聚乙烯的陶瓷片以及提供在一基底膜上形成的导电层；第二工艺，把导电层堆叠在陶瓷片上并加压，然后剥离基底膜；第三工艺，把陶瓷片置于导电层上；第四工艺，把导电层堆叠在陶瓷片上并加压，然后剥离基底膜；第五工艺，通过重复第三和第四工艺来形成层叠体；以及第六工艺，烧结层叠体。可避免多层陶瓷电子元件中的电极层之间的短路。增加成品率。本方法在生产层叠大量层且层厚非常薄的多层陶瓷电容器时尤其有效。