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公开(公告)号：CN108461616A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810490997.1
申请日：2018-05-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED用热电分离散热结构的封装方法，包括散热基板以及依次设置在该散热基板上的绝缘层和铜箔层，通过铣工艺先后在绝缘层中形成缺口A以及在铜箔层中形成缺口B；LED封装结构设置在与其相匹配的所述缺口A和缺口B中，使LED底座与所述散热基板相连接，设置在所述LED底座的LED芯片通过电极与所述铜箔层电气连接。采用上述技术方案，通过结构上的改进，使LED封装结构能够直接卡合设置缺口A和缺口B，由于LED散热底座直接与散热基板相连接，从而能够将LED芯片产生的热量直接传导到散热基板上，避免了传统散热基板中的高热阻绝缘层，大幅度降低了大功率LED的热阻。
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公开(公告)号：CN102544343A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210052925.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种提高LED基板散热性能的方法。本发明方法首先将纳米碳管放入酸液中超声处理，得到纯净含氧官能团纳米碳管；将偶联剂加入去离子水中，调pH值到4～5，加入无水乙醇溶液，形成偶联剂溶液；将纯净含氧官能团纳米碳管加入偶联剂溶液中，搅拌后干燥；将偶联化处理后的纳米碳管与成膜树脂混合搅拌均匀成纳米碳管涂料；将纳米碳管涂料均匀喷涂或刷涂在LED基板的散热表面，使涂料固化成膜。本发明在LED基板表面涂覆纳米碳管能够增加LED基板的散热面积，提高LED基板的热红外辐射能力，从而能够显著提高散热性能，降低功率LED芯片表面的温度，在某些情况下免去铝散热片的使用，从而减小体积和降低成本。
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公开(公告)号：CN101958692A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010514095.0
申请日：2010-10-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明涉及一种低压轨至轨运算放大电路。本发明电路包括三个电阻、三个电容、19个P型MOS管和17个N型MOS管。该电路采用适合于低电压的电流型跨导器，折叠共源共栅放大电路和低功耗的AB类推挽输出电路等子电路结构，克服了传统电压型运算放大器深受阈值电压限制的缺点，采用了适合于低电压要求的电路单元，在电路结构上进行了改进，从而在常规的CMOS工艺下实现了低电压、低功耗的性能。该电路采用电流型跨导器，获得了rail-to-rail共模电压输入和良好的频率响应；增益级采用折叠式共源共栅放大电路，获得了高电压增益和高电源抑制比；输出级采用两对反相器的AB类推挽输出电路，获得了高驱动能力，具有rail-to-rail共模电压输出和极低的谐波失真。
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公开(公告)号：CN108630799A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810490998.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED用热电分离散热结构，包括散热基板以及依次设置在该散热基板上的绝缘层和铜箔层，通过铣工艺先后在绝缘层中形成缺口A以及在铜箔层中形成缺口B；LED封装结构设置在与其相匹配的所述缺口A和缺口B中，使LED底座与所述散热基板相连接，设置在所述LED底座的PN结通过电极与所述铜箔层电气连接。采用上述技术方案，通过结构上的改进，使LED封装结构能够直接卡合设置缺口A和缺口B，由于LED散热底座直接与散热基板相连接，从而能够将LED芯片产生的热量直接传导到散热基板上，避免了传统散热基板中的高热阻绝缘层，大幅度降低了大功率LED的热阻。
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公开(公告)号：CN101958692B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010514095.0
申请日：2010-10-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明涉及一种低压轨至轨运算放大电路。本发明电路包括三个电阻、三个电容、19个P型MOS管和17个N型MOS管。该电路采用适合于低电压的电流型跨导器，折叠共源共栅放大电路和低功耗的AB类推挽输出电路等子电路结构，克服了传统电压型运算放大器深受阈值电压限制的缺点，采用了适合于低电压要求的电路单元，在电路结构上进行了改进，从而在常规的CMOS工艺下实现了低电压、低功耗的性能。该电路采用电流型跨导器，获得了rail-to-rail共模电压输入和良好的频率响应；增益级采用折叠式共源共栅放大电路，获得了高电压增益和高电源抑制比；输出级采用两对反相器的AB类推挽输出电路，获得了高驱动能力，具有rail-to-rail共模电压输出和极低的谐波失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108461616B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201810490997.1
申请日：2018-05-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED用热电分离散热结构的封装方法，包括散热基板以及依次设置在该散热基板上的绝缘层和铜箔层，通过铣工艺先后在绝缘层中形成缺口A以及在铜箔层中形成缺口B；LED封装结构设置在与其相匹配的所述缺口A和缺口B中，使LED底座与所述散热基板相连接，设置在所述LED底座的LED芯片通过电极与所述铜箔层电气连接。采用上述技术方案，通过结构上的改进，使LED封装结构能够直接卡合设置缺口A和缺口B，由于LED散热底座直接与散热基板相连接，从而能够将LED芯片产生的热量直接传导到散热基板上，避免了传统散热基板中的高热阻绝缘层，大幅度降低了大功率LED的热阻。
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公开(公告)号：CN101412509B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810122264.9
申请日：2008-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳管团簇粉体及制备方法。现有方法过程繁杂，制备效率不高。本发明的粉体由无序分散的纳米碳管团簇构成，每个纳米碳管团簇包括微米级的片状基底，基底的两面的纳米碳管生长方向相同，与基底平面基本垂直，相邻的纳米碳管间具有间隙。具体制备方法是首先将基底材料与催化剂硝酸溶液混合，得到基底块；然后将基底块研磨，得到分散的含催化剂薄膜的基底片状粉末；再将基底片状粉末置于石英管内，加热至700℃～900℃，通入N2、NH3和C2H2，保持10～120分钟，冷却取出。本发明的粉体具有宏观无序性、微观定向性，直径均匀，直径大，管壁薄，内径大，适用于作为催化剂和其它物质的载体。
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公开(公告)号：CN108630799B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201810490998.6
申请日：2018-05-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率LED用热电分离散热结构，包括散热基板以及依次设置在该散热基板上的绝缘层和铜箔层，通过铣工艺先后在绝缘层中形成缺口A以及在铜箔层中形成缺口B；LED封装结构设置在与其相匹配的所述缺口A和缺口B中，使LED底座与所述散热基板相连接，设置在所述LED底座的PN结通过电极与所述铜箔层电气连接。采用上述技术方案，通过结构上的改进，使LED封装结构能够直接卡合设置缺口A和缺口B，由于LED散热底座直接与散热基板相连接，从而能够将LED芯片产生的热量直接传导到散热基板上，避免了传统散热基板中的高热阻绝缘层，大幅度降低了大功率LED的热阻。
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公开(公告)号：CN102544343B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210052925.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种提高LED基板散热性能的方法。本发明方法首先将纳米碳管放入酸液中超声处理，得到纯净含氧官能团纳米碳管；将偶联剂加入去离子水中，调pH值到4～5，加入无水乙醇溶液，形成偶联剂溶液；将纯净含氧官能团纳米碳管加入偶联剂溶液中，搅拌后干燥；将偶联化处理后的纳米碳管与成膜树脂混合搅拌均匀成纳米碳管涂料；将纳米碳管涂料均匀喷涂或刷涂在LED基板的散热表面，使涂料固化成膜。本发明在LED基板表面涂覆纳米碳管能够增加LED基板的散热面积，提高LED基板的热红外辐射能力，从而能够显著提高散热性能，降低功率LED芯片表面的温度，在某些情况下免去铝散热片的使用，从而减小体积和降低成本。
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公开(公告)号：CN101412509A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810122264.9
申请日：2008-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳管团簇粉体及制备方法。现有方法过程繁杂，制备效率不高。本发明的粉体由无序分散的纳米碳管团簇构成，每个纳米碳管团簇包括微米级的片状基底，基底的两面的纳米碳管生长方向相同，与基底平面基本垂直，相邻的纳米碳管间具有间隙。具体制备方法是首先将基底材料与催化剂硝酸溶液混合，得到基底块；然后将基底块研磨，得到分散的含催化剂薄膜的基底片状粉末；再将基底片状粉末置于石英管内，加热至700℃～900℃，通入N2、NH3和C2H2，保持10～120分钟，冷却取出。本发明的粉体具有宏观无序性、微观定向性，直径均匀，直径大，管壁薄，内径大，适用于作为催化剂和其它物质的载体。
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