公开(公告)号：CN111799333A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010708501.0

申请日：2020-07-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  程有忠 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种具有电场调制区域的UMOSFET结构，包括由下到上依次层叠设置的N+衬底、N-漂移区、电流扩展层、P-体区，P-体区上表并列设有N+源区和P+源区；还包括沟槽，沟槽贯穿N+源区、P-体区、电流扩展层，沟槽底部位于N-漂移区内；沟槽下方设有P+屏蔽层，沟槽内壁设有栅极氧化膜，栅极氧化膜内部设有栅极；P-体区下方设有电场调制区域，电场调制区域贯穿所述电流扩展层，电场调制区域底部位于N-漂移区内；电场调制区域与沟槽之间设有间隙；电场调制区域包括内嵌有P型区的N型区。本发明具有电场调制区域的UMOSFET结构相较于传统UMOSFET结构具有更高的击穿电压和更好的正向导通特性。

公开(公告)号：CN111883593B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202010797183.X

申请日：2020-08-10

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  程有忠 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层；抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极、漏极；源极、漏极贯穿势垒层、钝化层；源极、漏极之间设有沟槽，沟槽贯穿势垒层、钝化层；沟槽内设有栅极，栅极与沟槽内壁之间设有栅介质层；栅极、漏极上部分别连接有栅场板、漏场板；势垒层上还设有埋N阱，埋N阱厚度与势垒层厚度相同，埋N阱与沟槽之间设有间隙；埋N阱顶部连接有肖特基电极，肖特基电极与埋N阱宽度相同且上下对应设置，肖特基电极顶部设有肖特基电极场板。本发明能够防止器件在低漏极偏置电压下发生烧毁，有效提升了GaN器件的单粒子烧毁阈值电压。

公开(公告)号：CN111883593A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010797183.X

申请日：2020-08-10

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  程有忠 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层；抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极、漏极；源极、漏极贯穿势垒层、钝化层；源极、漏极之间设有沟槽，沟槽贯穿势垒层、钝化层；沟槽内设有栅极，栅极与沟槽内壁之间设有栅介质层；栅极、漏极上部分别连接有栅场板、漏场板；势垒层上还设有埋N阱，埋N阱厚度与势垒层厚度相同，埋N阱与沟槽之间设有间隙；埋N阱顶部连接有肖特基电极，肖特基电极与埋N阱宽度相同且上下对应设置，肖特基电极顶部设有肖特基电极场板。本发明能够防止器件在低漏极偏置电压下发生烧毁，有效提升了GaN器件的单粒子烧毁阈值电压。