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公开(公告)号：CN110610995A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910807978.1
申请日：2019-08-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提出了一种栅极功率MOSFET抗单粒子烧毁器件半元胞结构，该结构通过在半导体功率器件的漏(阴)电极区域内制作一个带有N型局域掺杂区的N型缓冲层，可以显著降低半导体功率器件漂移区和衬底高低结处的电场峰值和碰撞电离程度。减少因碰撞电离所导致的雪崩倍增而产生的载流子数量，可大幅度降低作用于寄生双极晶体管的瞬态电流，使寄生双极晶体管难以导通，从而能够在不牺牲基本电学特性前提下提高器件的抗单粒子烧毁能力。
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