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公开(公告)号：CN114325117B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111286860.2
申请日：2021-11-02
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明公开了一种折叠式人工局域表面等离激元微波微流传感器，包括介质层、底部金属地；介质层由上介质基板与下介质基板层叠而成，底部金属地处于下介质层的下表面，上介质基板的上表面设置谐振环、环状耦合结构及放大电路；上介质基板、下介质基板之间设置两条微带线；与谐振环每个金属存根末端相对应的上介质基板、下介质基板、底部金属地形成过孔，过孔的内壁设有金属壁，此金属壁与谐振环的相对应金属存根末端相触，并在金属壁底部形成底部延长金属存根，底部延长金属存根与底部金属地隔离。本发明设计能够显著减小谐振环尺寸和液体用量，能够增强金属表面的慢波效应，并进一步缩小谐振环尺寸。
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公开(公告)号：CN117013970A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310986094.3
申请日：2023-08-07
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于异构集成工艺的宽带高功率放大器，包括异构集成衬底、功分器、功率放大模块、合路器,所述功分器、所述功率放大模块、所述合路器基于晶圆级封装工艺集成于所述异构集成衬底，所述功率放大模块的数量包括至少两个，所述功分器与所述功率放大模块的输入端连接。本发明结合分布式可实现放大器带宽的理论，通过将多晶体管并联形成晶胞，并基于该晶胞构建分布式放大器单元，进一步的形成基于电容中和技术的差分放大器，从而形成硅基宽带毫米波功率放大器的设计，有效地支撑宽带毫米波功率放大器的设计，可有效突破功率放大器因管子尺寸大、版图寄生多，电磁‑热环境复杂等导致的带宽难以展宽的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN117007612A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310983755.7
申请日：2023-08-07
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01N22/00 , A61B5/0507
摘要： 本发明提供了一种毫米波生物传感器及其设计方法，其综合了由传感器阵列构成的生物传感载片、由超再生放大器电路阵列、信号检出电路构成的生物信息检测通路和由超再生放大器电路、信号检出电路构成的生物信息校准通路。其中在传感器阵列中的CPW传感器阵列和差分检测传感器阵列来加载生物载片，增加待测生物样本量并提高灵敏性，增加了同步测量多类生物信息的通道。同时通过设置超再生放大器及其阵列对由生物传感载片的载片信号进行放大，并输出至信号检出电路，信号检出电路在检测信号幅度的同时可以监测信号的相位信息，增加了测量的生物信息的多样性进，同时能加速明确生物信息特征，进一步提高了生物传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN116796637A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310659049.7
申请日：2023-06-05
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明属于微波射频器件逆设计领域，具体公开了一种基于高质量采样和小波变换的深度学习逆设计方法用于微波电路逆设计。利用粒子群算法初步筛选出“好”样本，再通过多标签合成少数类过采样技术，以保证“好”样本在设计空间中的均匀性。建立了给定的s参数输入与所需的结构参数或材料参数之间的关系，面对s参数等间隔采样可能会导致高维输入，需要更复杂的神经网络，通过基于小波变换的深度学习方法，极大地降低了输入的维数。以带通微带滤波器为例，验证了该方法的性能，结果表明，该方法比常规的深度学习方法具有更好的建模性能和逆设计效果，可以根据用户不同中心频率，不同带宽的需求，快速预测器件尺寸参数，且取得良好的预测效果。
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公开(公告)号：CN116314351A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310090461.1
申请日：2023-02-09
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法。本发明所涉及的高密度的片上电容，包括有源MOS电容和无源MOM电容两部分。其中，有源MOS电容通过一个大尺寸MOS晶体管实现，MOS晶体管的栅极和供电金属平面连接，MOS晶体管的源极和漏极和地平面并接，当供电金属平面施加正向电压时，MOS管的栅极和其源极与漏极之间形成显著的大电容效应。MOM电容通过多层金属垂直堆叠的交叉插指电容阵列实现。在电气连接方式上，有源MOS电容和无源MOM电容以并联的方式连接共同作用，在紧凑的尺寸内实现极高的电容密度，而且结构紧凑，占用面积小，制造成本低，兼容于多种半导体工艺，易于大规模集成。
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公开(公告)号：CN116111984A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211555506.X
申请日：2022-12-06
申请人： 中国电子科技集团公司信息科学研究院 , 杭州电子科技大学
摘要： 本公开实施例涉及天线与电路自动化设计技术领域，提供了一种滤波器的设计优化方法及装置、滤波器、设备、介质，方法包括：确定滤波器的拓扑结构图或电路结构图；基于拓扑结构图或电路结构图，确定滤波器的设计参数及其对应的初始取值范围；将设计参数及其对应的初始取值范围输入训练好的滤波器设计优化模型中，得到设计参数对应的优化预测值，完成滤波器的设计优化；其中，训练好的滤波器设计优化模型基于预设的极限学习机训练得到。本公开实施例可以省去传统方法中设计人员需要人工调整各个设计参数的纷繁冗杂任务，更快、更优地实现滤波器的设计优化，大大节省设计人员的时间和精力，降低滤波器设计优化门槛和设计成本，提高设计优化效率。
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公开(公告)号：CN115994482A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211570053.8
申请日：2022-12-07
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及基于人工神经网络预测低雷诺数微流体芯片流体场方法，在微流体芯片制造前，快速预测模拟微流体性能。提出九宫格模型，归纳出15种人工神经网络模型，在只有边界条件和几何形状的前提下，预测整个微流体混合区域流体场。从整个微流体混合域流体场的左上角开始预测，给定左边界上边界，利用15种人工神经网络模型预测整个区域流体场信息。从数学角度来看，任意一个形状都可以用九宫格无限逼近，可以推出，理论上九宫格模型可以用来预测任意形状的微流体混合器流体信息。
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公开(公告)号：CN110008488B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN201811404979.3
申请日：2018-11-23
申请人： 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司信息科学研究院
IPC分类号： G06F30/367 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于支持向量机的功率放大器行为模型的建模方法，基于连续波高低温I‑V和小信号S参数的晶体管器件热阻和热容特性。热阻抗提取过程中使用的基本数据为高低温测试所得晶体管I‑V数据和低频小信号S参数，这些测试数据是如标准工艺线用以建立晶体管模型过程中常规测试数据，因而不需要借助如红外热成像仪器等附加测试设备。采用本方法提取得到热阻和热容特性参数，可精确用于器件自热效应评估、不同功率水平下晶体管结温变化、器件的热阻抗优化设计中。
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公开(公告)号：CN115159323A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210715693.7
申请日：2022-06-23
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种海试设备吊放自动脱钩器，属于脱钩技术领域，包括主体架、限位结构、滚动环、拉绳、弹簧、吊环钩、止荡环和挂环，主体框架采用焊接方式成形，止荡环和挂环焊接在主体框架上，减少零件松动的风险，滚动环穿过横轴可滚动，弹簧一端挂在限位结构底部的挂钩，一端挂在主体下部挂钩，在自然状态下，弹簧拉力向下拉紧限位块，吊钩环被限位块孔限制转动，拉绳一端系固在移动扣，压过滚动环，另一端人手拉住处于放松状态，设备挂在吊钩环上。当作业设备需入海释放时，人力向下拉动拉绳，限位结构沿主体向上移动，吊钩环从限位孔中移出，在设备重力下吊钩环快速旋转，设备即从吊钩环自动脱钩。
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公开(公告)号：CN106601788B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201611094580.0
申请日：2016-12-02
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/772
摘要： 本发明公开了一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于12nm。本发明的结构通过引入额外的Z形栅，使得场氧结构仅与有源区中的漏区或者源区之一相邻，无法形成完整的电流路径，因而消除了边缘寄生漏电路径，实现了抗总剂量辐射加固的目的。本发明的结构在有效消除由总剂量效应引起的寄生漏电的同时，与传统加固结构相比，能实现更小的宽长比MOS晶体管，且栅电容更小，驱动电流更大，占版图面积更小。
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