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公开(公告)号：CN119401133B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510006044.3
申请日：2025-01-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法。本发明超表面反射阵包括馈源喇叭和可重构超表面反射阵列；可重构超表面反射阵列包括多个周期性排布的超表面反射阵单元；超表面反射阵单元依次包括顶层金属结构层、第一层介质基板、金属地、金属供电层、第二层介质基板和底层金属馈电层；顶层金属结构加载MOS开关芯片。本发明通过控制MOS开关芯片的通断，以实现超表面反射阵单元相位0°和180°两种状态，通过FPGA控制反射阵列中每个超表面反射阵单元的状态，可以在±45°进行波束扫描，相比于使用PIN管作为调谐元件的反射阵列，避免了复杂馈电网络的设计，具有波束扫描速度快和低功耗的优势。
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公开(公告)号：CN116314351A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310090461.1
申请日：2023-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法。本发明所涉及的高密度的片上电容，包括有源MOS电容和无源MOM电容两部分。其中，有源MOS电容通过一个大尺寸MOS晶体管实现，MOS晶体管的栅极和供电金属平面连接，MOS晶体管的源极和漏极和地平面并接，当供电金属平面施加正向电压时，MOS管的栅极和其源极与漏极之间形成显著的大电容效应。MOM电容通过多层金属垂直堆叠的交叉插指电容阵列实现。在电气连接方式上，有源MOS电容和无源MOM电容以并联的方式连接共同作用，在紧凑的尺寸内实现极高的电容密度，而且结构紧凑，占用面积小，制造成本低，兼容于多种半导体工艺，易于大规模集成。
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公开(公告)号：CN119766196A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510252332.7
申请日：2025-03-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开一种基于有源电阻器的无电感数控衰减器。由多个不同衰减功能的衰减模块串联构成；所述衰减模块采用改进衰减模块，包括衰减单元、输入端、输出端、控制端和电平端；所述输入端和输出端分别作为衰减单元的两个端口，便于接入电路；所述控制端用于将数字控制信号接入衰减单元；所述电平端用于将高电平接入衰减单元。本发明通过使带有交流浮体技术和交流浮栅技术的三阱结构NMOS场效应晶体管持续处于导通状态，实现了有源电阻器，将其作为衰减电阻器，有效减小了高频寄生电容效应，从而确保了电阻及其寄生电容在频段内的稳定性。
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公开(公告)号：CN116314351B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202310090461.1
申请日：2023-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法。本发明所涉及的高密度的片上电容，包括有源MOS电容和无源MOM电容两部分。其中，有源MOS电容通过一个大尺寸MOS晶体管实现，MOS晶体管的栅极和供电金属平面连接，MOS晶体管的源极和漏极和地平面并接，当供电金属平面施加正向电压时，MOS管的栅极和其源极与漏极之间形成显著的大电容效应。MOM电容通过多层金属垂直堆叠的交叉插指电容阵列实现。在电气连接方式上，有源MOS电容和无源MOM电容以并联的方式连接共同作用，在紧凑的尺寸内实现极高的电容密度，而且结构紧凑，占用面积小，制造成本低，兼容于多种半导体工艺，易于大规模集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119401133A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510006044.3
申请日：2025-01-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MOS开关芯片调控的可重构超表面反射阵及其实现方法。本发明超表面反射阵包括馈源喇叭和可重构超表面反射阵列；可重构超表面反射阵列包括多个周期性排布的超表面反射阵单元；超表面反射阵单元依次包括顶层金属结构层、第一层介质基板、金属地、金属供电层、第二层介质基板和底层金属馈电层；顶层金属结构加载MOS开关芯片。本发明通过控制MOS开关芯片的通断，以实现超表面反射阵单元相位0°和180°两种状态，通过FPGA控制反射阵列中每个超表面反射阵单元的状态，可以在±45°进行波束扫描，相比于使用PIN管作为调谐元件的反射阵列，避免了复杂馈电网络的设计，具有波束扫描速度快和低功耗的优势。
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公开(公告)号：CN116435741B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310235677.2
申请日：2023-03-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种超宽带交叉耦合器及毫米波低损耗衰减器，涉及毫米波衰减器，属于基本电子电路的技术领域。超宽带交叉耦合器采用交叉金属的核心部分与延长金属线结合的方式，使用金属线交叉结构在实现了紧凑的结构的同时，降低了插损，延长的金属线基于核心部分对称连接，调节两层金属产生的双谐振频率点实现超宽带耦合。毫米波低插损衰减器包括：超宽带交叉耦合器，第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一失配电阻和第二失配电阻。得益于超宽带交叉耦合器的低插损和紧凑结构，在宽带下实现了大衰减范围，低插入损耗以及紧凑结构的反射式衰减器，具有优秀的科学应用价值。
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公开(公告)号：CN116435741A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310235677.2
申请日：2023-03-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种超宽带交叉耦合器及毫米波低损耗衰减器，涉及毫米波衰减器，属于基本电子电路的技术领域。超宽带交叉耦合器采用交叉金属的核心部分与延长金属线结合的方式，使用金属线交叉结构在实现了紧凑的结构的同时，降低了插损，延长的金属线基于核心部分对称连接，调节两层金属产生的双谐振频率点实现超宽带耦合。毫米波低插损衰减器包括：超宽带交叉耦合器，第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一失配电阻和第二失配电阻。得益于超宽带交叉耦合器的低插损和紧凑结构，在宽带下实现了大衰减范围，低插入损耗以及紧凑结构的反射式衰减器，具有优秀的科学应用价值。
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公开(公告)号：CN116130916B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310305567.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器，针对高低通切换结构的移相器单元在毫米波频段移相精度较差，实现带宽较小，同时移相精度受工艺偏差影响较大问题，本发明采用一种毫米波宽带耦合器结构取代传统高低通切换结构中的高通网络结构，大大提升了移相器的移相精度和移相带宽，同时相位偏差受工艺变化影响较小，增加了移相器的电路鲁棒性能，提升了移相器的整体性能。该移相器单元不同于以往的高低通切换结构中电感电容型高通网络结构，充分利用了金属层之间的电磁耦合效应和宽金属层的稳定性，设计原理清晰，结构简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN116130916A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310305567.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于宽带耦合器结构的宽带高精度180°移相器，针对高低通切换结构的移相器单元在毫米波频段移相精度较差，实现带宽较小，同时移相精度受工艺偏差影响较大问题，本发明采用一种毫米波宽带耦合器结构取代传统高低通切换结构中的高通网络结构，大大提升了移相器的移相精度和移相带宽，同时相位偏差受工艺变化影响较小，增加了移相器的电路鲁棒性能，提升了移相器的整体性能。该移相器单元不同于以往的高低通切换结构中电感电容型高通网络结构，充分利用了金属层之间的电磁耦合效应和宽金属层的稳定性，设计原理清晰，结构简单，成本低廉。
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