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公开(公告)号：CN119268828A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411826673.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种传感元件背板与信号调理功能复用的高频水下声信息感知阵列，包括传感元件、中心区域布置多通道铜电极的刚性PCB信号调理板、共地电极、前置放大电路模块、输出电连接器插头、输出电连接器插座、聚氨酯灌注层、外壳、底座、水密连接器，刚性PCB信号调理板为圆形，传感元件包括压电共聚物膜和多通道铜电极阵列，多通道铜电极阵列沿刚性PCB信号调理板直径方向原位镶嵌设置，多通道铜电极阵列的不同通道的铜电极之间电绝缘。本发明利用刚性信号调理板多功能复用方法实现高频声信息感知阵列的多阵元精准布置，以保证各阵元电容与灵敏度的高一致性，以及阵元间距的准确控制，确保声信息感知阵列对高频微弱水下声信息的有效感知与拾取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119300696B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411826664.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: H10N30/077 , G01H11/08 , H10N30/098 , H10N30/045
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250‑250nm的绝缘二氧化硅层，其作用为确保压电MEMS器件与单晶硅基底间的绝缘，并提高下电极层、压电共聚物薄膜层与基底间的结合力。本发明可实现5‑10μm的薄膜制备。
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公开(公告)号：CN119268828B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411826673.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种传感元件背板与信号调理功能复用的高频水下声信息感知阵列，包括传感元件、中心区域布置多通道铜电极的刚性PCB信号调理板、共地电极、前置放大电路模块、输出电连接器插头、输出电连接器插座、聚氨酯灌注层、外壳、底座、水密连接器，刚性PCB信号调理板为圆形，传感元件包括压电共聚物膜和多通道铜电极阵列，多通道铜电极阵列沿刚性PCB信号调理板直径方向原位镶嵌设置，多通道铜电极阵列的不同通道的铜电极之间电绝缘。本发明利用刚性信号调理板多功能复用方法实现高频声信息感知阵列的多阵元精准布置，以保证各阵元电容与灵敏度的高一致性，以及阵元间距的准确控制，确保声信息感知阵列对高频微弱水下声信息的有效感知与拾取。
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公开(公告)号：CN119285829A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826680.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: C08F214/22 , C08F6/02 , C08F6/00
Abstract: 本发明涉及一种含氟共聚物树脂的酸处理及沉淀分离提纯方法，包括以下步骤，S1，预处理：用超纯水浸泡清洗粉末状的含氟共聚物树脂，去除悬浮污染物；S2，溶解：将经过步骤S1预处理干燥后的含氟共聚物树脂溶解于有机溶剂中；S3，酸处理：将酸溶液加入经过步骤S2得到的含氟共聚物溶液中，充分混合；S4，沉淀析出：将经过步骤S3得到的溶液在搅拌条件下加入超纯水中沉淀析出白色固体；S5，固液分离：对经过步骤S4得到的含有白色固体的分散液进行过滤或离心，得到含氟共聚物树脂固体，并进行干燥；S6,反复提纯：将经过步骤S5得到的含氟共聚物树脂固体重复步骤S2‑S5。本发明能够去除微量金属及其他杂质残留，满足后续的极化要求，大大降低电击穿概率。
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公开(公告)号：CN119300696A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826664.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: H10N30/077 , G01H11/08 , H10N30/098 , H10N30/045
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250‑250nm的绝缘二氧化硅层，其作用为确保压电MEMS器件与单晶硅基底间的绝缘，并提高下电极层、压电共聚物薄膜层与基底间的结合力。本发明可实现5‑10μm的薄膜制备。
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公开(公告)号：CN119269202A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411826687.4
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种含氟共聚物材料耐高场强测试方法，包括以下步骤，步骤1，共聚物材料样品制备：通过热压法将真空干燥的共聚物树脂粉末制备成预定尺寸的共聚物薄膜，通过磁控溅射技术在薄膜上下表面分别制备金属电极；步骤2，测试装置准备与样品安装：在铁电测试设备的样品夹持装置中加入硅油，将共聚物薄膜样品放置在夹持装置的中心，确保样品完全浸没在硅油中，盖上端盖，使得共聚物薄膜表面电极与上、下导电板良好接触。本发明能够定量评估含氟共聚物材料的抗击穿强度，为材料高场强极化工艺提供支撑。
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