一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN119291695A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411826665.8

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法,包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件,压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元;其中,电路板采用整块PCB板制作而成,电路板上镶嵌有若干金属柱,电路板左右两边各镶嵌一个电极;压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜,压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计,有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。

    一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN119291695B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411826665.8

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法,包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件,压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元;其中,电路板采用整块PCB板制作而成,电路板上镶嵌有若干金属柱,电路板左右两边各镶嵌一个电极;压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜,压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计,有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。

    一种含氟共聚物材料耐高场强测试方法

    公开(公告)号:CN119269202A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411826687.4

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种含氟共聚物材料耐高场强测试方法,包括以下步骤,步骤1,共聚物材料样品制备:通过热压法将真空干燥的共聚物树脂粉末制备成预定尺寸的共聚物薄膜,通过磁控溅射技术在薄膜上下表面分别制备金属电极;步骤2,测试装置准备与样品安装:在铁电测试设备的样品夹持装置中加入硅油,将共聚物薄膜样品放置在夹持装置的中心,确保样品完全浸没在硅油中,盖上端盖,使得共聚物薄膜表面电极与上、下导电板良好接触。本发明能够定量评估含氟共聚物材料的抗击穿强度,为材料高场强极化工艺提供支撑。

    一种水听器等效自噪声测试装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119268838A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411826663.9

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种水听器等效自噪声测试装置,包括支架,支架由底座和倒U形吊架组成,底座为正方体框架,倒U形吊架固定在底座正上方,倒U形吊架上安装有手摇葫芦;壳体,壳体为上端开口的圆筒状结构,壳体置于底座上;减震组件,减震组件有4个,分别设于正方体框架顶部的四角处,用于壳体与支架的振动隔离,减震组件下端与正方体框架顶部连接;盖板,盖板设有与壳体适配的圆孔,壳体上端贯穿圆孔,盖板与减震组件上端固定连接。本发明有效提升了水听器等效自噪声测试的可靠性和便利性,使得测试过程更稳定,结果更准确。

Patent Agency Ranking