一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN119291695B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411826665.8

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法,包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件,压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元;其中,电路板采用整块PCB板制作而成,电路板上镶嵌有若干金属柱,电路板左右两边各镶嵌一个电极;压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜,压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计,有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。

    一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法

    公开(公告)号:CN119291695A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411826665.8

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法,包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件,压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元;其中,电路板采用整块PCB板制作而成,电路板上镶嵌有若干金属柱,电路板左右两边各镶嵌一个电极;压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜,压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计,有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。

    一种基于柔性电路的PVDF圆管矢量水听器及其加工方法

    公开(公告)号:CN119270336A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411826679.X

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于柔性电路的PVDF圆管矢量水听器及其加工方法,水听器包括PVDF圆管、第一柔性电路、金属背衬、上端盖、下端盖、和水密连接器;其中,PVDF圆管由PVDF膜卷制而成,PVDF圆管1沿圆周面均匀间隔设置若干电极;第一柔性电路用于屏蔽电磁干扰和放大信号,第一柔性电路上设有多个与PVDF圆管上的电极一一对应的第二电极,第二电极分别与PVDF圆管上的电极对应连接,第一柔性电路上设有屏蔽层。本发明采用PVDF膜卷制PVDF圆管的形式可以解决PVDF圆管一体成型难度高的问题,可制作大尺寸PVDF圆管矢量水听器,有效降低圆管矢量水听器工作频率。

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