电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法

    公开(公告)号:CN101164127A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200680013453.1

    申请日:2006-04-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供电容器层形成材料,其具有由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中任意一种方法形成的介电层,能够减少电容器电路的漏电流。为了达成上述目的,采用在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间具有介电层的电容器层形成材料,其特征是,该介电层是由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成的氧化物介电膜,并在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。另外,采用电容器层形成材料的制造方法,其特征是,在下部电极的构成材料表面,通过溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成氧化物介电膜,在该氧化物介电膜的表面浸渍树脂清漆,经树脂干燥、树脂固化形成介电层,然后在该介电层上设置上部电极构成层。

    甲烷氧化催化剂
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110997134A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201880054255.2

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明进一步改良在氧化锡上负载有铂的氧化催化剂,提供一种催化剂即使在暴露于高温下之后也能够维持甲烷氧化活性的新型氧化催化剂。制得一种甲烷氧化催化剂,其是在氧化锡载体上负载有铂氧化物的甲烷氧化催化剂,在铂原子的L3边X射线吸收近边结构(XANES)光谱中,在11555~11570eV的范围内得到的吸收峰的强度是使用标准铂箔测得的相同吸收峰强度的1.4倍以上。

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