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公开(公告)号：CN110337714B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880013451.5
申请日：2018-02-21
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/455
摘要： 一种衬底支撑件包括：基板；陶瓷层，其布置在所述基板上；结合层，其布置在所述基板和所述陶瓷层之间的第一间隙中；通道，其穿过所述基板、所述结合层和所述陶瓷层形成；和插塞，其布置在所述通道中。所述插塞包括布置在所述基板中的下部和布置在所述陶瓷层中的上部。所述下部包括凹穴和围绕所述凹穴的侧壁。所述上部在所述陶瓷层和所述第一间隙下方延伸到所述凹穴中，所述下部的所述侧壁与所述上部重叠，以及所述上部和所述下部之间的第二间隙位于所述第一间隙下方的所述下部的所述凹穴内。
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公开(公告)号：CN116884825A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310715034.8
申请日：2017-12-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·C·凯洛格 , 亚当·梅斯 , 阿列克谢.马拉赫塔诺夫 , 约翰·霍兰德 , 陈志刚 , 费利克斯·科扎克维奇 , 亚历山大·马丘什金
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 描述了用于将边缘环固定到支撑环的系统和方法。边缘环通过插入到边缘环的底表面中的多个紧固件固定到支撑环上。将边缘环固定到支撑环上在等离子体室内处理衬底期间提供边缘环的稳定性。另外，将边缘环固定到支撑环上使得边缘环固定到等离子体室上，因为支撑环被固定到绝缘体环，该绝缘体环连接到等离子体室的绝缘体壁。此外，在衬底的处理期间，使用一个或多个扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向下拉，以及使用扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向上推以从等离子体室中移除边缘环和支撑环。
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公开(公告)号：CN116884823A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310709842.3
申请日：2017-12-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·C·凯洛格 , 亚当·梅斯 , 阿列克谢.马拉赫塔诺夫 , 约翰·霍兰德 , 陈志刚 , 费利克斯·科扎克维奇 , 亚历山大·马丘什金
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 描述了用于将边缘环固定到支撑环的系统和方法。边缘环通过插入到边缘环的底表面中的多个紧固件固定到支撑环上。将边缘环固定到支撑环上在等离子体室内处理衬底期间提供边缘环的稳定性。另外，将边缘环固定到支撑环上使得边缘环固定到等离子体室上，因为支撑环被固定到绝缘体环，该绝缘体环连接到等离子体室的绝缘体壁。此外，在衬底的处理期间，使用一个或多个扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向下拉，以及使用扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向上推以从等离子体室中移除边缘环和支撑环。
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公开(公告)号：CN111489951B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010069637.1
申请日：2017-06-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·C·凯洛格 , 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 约翰·帕特里克·霍兰德 , 陈志刚 , 菲力克斯·科扎克维奇 , 肯尼思·卢凯西
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及耦合环。耦合环包括具有顶表面和底表面的绝缘体材料；嵌入所述绝缘体材料内的电极，其中所述电极位于所述绝缘体材料的顶表面下方的第一距离处和所述绝缘体材料的底表面上方的第二距离处，其中所述电极被配置为耦合到电源接脚，其中，所述耦合环被配置为放置在等离子体室内，以与等离子体室的卡盘相邻。
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公开(公告)号：CN110246744A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910406810.X
申请日：2017-06-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 陈志刚 , 阿列克谢·马拉什塔内夫 , 约翰·帕特里克·霍兰德
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及通过奇次谐波混合调整离子能量分布函数的系统和方法。描述了用于控制应用于等离子体室内的衬底的工艺的系统和方法。所述系统和方法包括产生和供应奇次谐波信号，并且对奇次谐波信号求和以生成相加后的信号。相加后的信号被供应给等离子体室内的电极，以用于处理衬底。使用奇次谐波信号有助于衬底的高深宽比蚀刻。
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公开(公告)号：CN111466009A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201780097690.9
申请日：2017-12-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·C·凯洛格 , 亚当·梅斯 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 约翰·霍兰德 , 陈志刚 , 费利克斯·科扎克维奇 , 亚历山大·马丘什金
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 描述了用于将边缘环固定到支撑环的系统和方法。边缘环通过插入到边缘环的底表面中的多个紧固件固定到支撑环上。将边缘环固定到支撑环上在等离子体室内处理衬底期间提供边缘环的稳定性。另外，将边缘环固定到支撑环上使得边缘环固定到等离子体室上，因为支撑环被固定到绝缘体环，该绝缘体环连接到等离子体室的绝缘体壁。此外，在衬底的处理期间，使用一个或多个扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向下拉，以及使用扣紧机构将支撑环和边缘环竖直向上推以从等离子体室中移除边缘环和支撑环。
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公开(公告)号：CN110168714A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082496.3
申请日：2017-11-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/02 , H01L21/3065
摘要： 一种用于在衬底处理系统中支撑衬底的衬底支撑件包括基板和布置在所述基板上方的陶瓷层。所述陶瓷层的外周边被边缘环包围。所述陶瓷层的外半径大于所述边缘环的内半径，使得所述陶瓷层的外边缘在所述边缘环下方延伸。
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公开(公告)号：CN109599318A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811030063.6
申请日：2018-09-05
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 赵琳 , 菲力克斯·科扎克维奇 , 肯尼思·卢凯西 , 陈志刚 , 约翰·帕特里克·霍兰德
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J2237/334 , H01J2237/335
摘要： 本发明涉及多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性。描述了用于提供离子方向性的多态等离子体晶片处理的系统和方法。该系统和方法有三种状态。在第一状态期间，执行蚀刻操作。在第二状态期间，千赫射频信号的功率电平大于零，以增强入射在堆叠层的底表面上的离子的方向性。在第三状态期间，堆叠层顶部的掩模损耗减少并且可以进行沉积。
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公开(公告)号：CN109411323A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811196038.5
申请日：2016-04-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 丹尼尔·阿瑟·布朗 , 约翰·帕特里克·霍兰德 , 迈克尔·C·凯洛格 , 詹姆斯·E·塔潘 , 杰雷尔·K·安托利克 , 伊恩·肯沃西 , 特奥·帕纳戈波罗斯 , 陈志刚
摘要： 本发明涉及一种具有用于对称传导和RF传输的垂直支撑杆的室。提供了一种等离子体室来增加等离子体室内的传导和增加传导的均匀性。用于供应功率给等离子体室的射频路径是相对于等离子体室的中心轴对称的。此外，用于从等离子体室去除材料的泵相对于所述中心轴对称地定位。射频路径和泵的对称布置有利于增加等离子体内的传导均匀性。
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公开(公告)号：CN104518753B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201410524866.2
申请日：2014-10-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 布拉德福德·J·林达克 , 约翰·C·小瓦尔考 , 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 , 塞得·亚法·亚法莉安-特哈利 , 陈志刚
摘要： 本发明涉及使用建模、反馈和阻抗匹配电路来控制蚀刻速率，说明了实现蚀刻速率的方法。该方法包含接收与处理等离子体室中的工件关联的计算的变量。该方法还包含经由模型来传送所述计算的变量，以在模型的输出处产生所述计算的变量的值，识别与该值关联的计算的处理速率；并且基于所述计算的处理速率来识别预先确定的处理速率。该方法还包含：基于所述预先确定的处理速率识别要在输出实现的预先确定的变量；以及识别与所述预先确定的变量的实部和虚部关联的特征。该方法包含控制可变电路组件以实现特征，以进一步实现所述预先确定的变量。
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