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公开(公告)号:CN117795640A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280054867.8
申请日:2022-08-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 郭曈曈 , 雷切尔·E·巴策尔 , 陈利 , 弗朗西斯科·J·华雷斯 , 安德鲁·约翰·麦克罗 , 龚波 , 马拉克·科贾斯特 , 桂哲 , 邱华潭
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种装置,其包括处理室,其中所述处理室包括:窗,其中该窗包括介电材料,所述介电材料对射频(RF)能量是透射性的,其中所述窗具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧;套环组件,该套环组件具有被所述窗覆盖的孔,其中所述套环组件支撑所述窗的所述第一侧;以及一或更多个RF线圈,所述一或更多RF线圈位于所述窗的所述第二侧上方,其中,当沿垂直于所述窗的第一轴观察时,所述一或更多个RF线圈的最外部分与所述套环组件的导电部分的最内部分之间的径向距离大于或等40mm,其中所述套环组件的所述导电部分的所述最内部分与第一参考平面相交,所述第一参考平面垂直于所述第一轴且位于所述窗的所述第一侧与所述一或更多个RF线圈之间。
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公开(公告)号:CN113474483A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202080013381.0
申请日:2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 陈利 , 崎山行则 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟
Abstract: 一种等离子体工具,在该等离子体工具中在处理室内用于处理衬底的两种或者更多种等离子体的生成在时间上、空间上或两者上调制。两种等离子体的调制用于在衬底上形成类金刚石碳(DLC)层。一等离子体用于形成非晶碳层,而第二等离子体用于经由离子轰击而将非晶碳层转变为DLC。
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公开(公告)号:CN115485808A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202180033296.5
申请日:2021-04-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于形成等离子体的装置可包括一或更多耦合端口以接收RF电流。该装置可额外地包括收容器以容纳一种或更多种气体,其中收容器沿着第一轴定向。该装置可额外地包括定位于平面且基本上围绕收容器的RF耦合结构,RF耦合结构可配置成传导RF电流以导致收容器内等离子体的形成。该装置可进一步包括耦合至RF耦合结构的一个或更多个连接件,其可使得RF耦合结构的平面能围绕第二轴枢转以致使RF耦合结构的平面朝向第一轴倾斜。
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公开(公告)号:CN114096696B
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202080047253.8
申请日:2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 陈利 , 崎山行则
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/515 , C23C16/517 , H01L21/314 , H01L21/033
Abstract: 一种衬底处理工具,其能够通过以下方式在衬底上形成碳层:在处理室中产生包含碳和非碳离子的等离子体,在处理室中悬浮碳和非碳离子,从处理室去除大部分悬浮的非碳离子,并用大部分碳离子轰击衬底表面。可以重复上述顺序的一个或多个步骤,直到碳层具有期望的厚度。
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公开(公告)号:CN114096696A
公开(公告)日:2022-02-25
申请号:CN202080047253.8
申请日:2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 陈利 , 崎山行则
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/515 , C23C16/517 , H01L21/314 , H01L21/033
Abstract: 一种衬底处理工具,其能够通过以下方式在衬底上形成碳层:在处理室中产生包含碳和非碳离子的等离子体,在处理室中悬浮碳和非碳离子,从处理室去除大部分悬浮的非碳离子,并用大部分碳离子轰击衬底表面。可以重复上述顺序的一个或多个步骤,直到碳层具有期望的厚度。
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公开(公告)号:CN116075917A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202180056281.0
申请日:2021-06-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 赫马·斯沃普·莫皮迪维 , 陈利 , 托马斯·W·安德森 , 肖恩·泰勒·史密斯 , 尼尔·M·P·本杰明
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体形成装置可以包括一个或更多个耦合端口以接收射频(RF)电流。该装置可额外包括一个或更多个耦合结构,其可包括一个或更多个导电回路以允许该RF电流从该一个或更多个耦合端口中的至少第一端口传导至该一个或更多个耦合端口中的至少第二端口。该一个或更多个导电回路可各自配置成在不存在该等离子体的情况下显示第一电感值,以及在存在该等离子体的情况下显示第二电感值。该一个或更多个耦合结构可各自包括电抗元件,其中每个电抗元件耦合至该一个或更多个导电回路的相应一者以形成相应数量的耦合结构。每个RF耦合结构可具有响应于该等离子体的存在而增大的谐振频率。
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