公开(公告)号：CN119677893A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380057598.5

申请日：2023-08-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马克·坎佩罗 ,  苏珊斯·贡迪 ,  普拉桑特·波特达 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  穆拉利·克里希纳·乔纳加德拉拉加歌帕尔 ,  加纳丹·阿沙里·穆尔凯·西塔拉玛查里 ,  纳温·帕蒂尔

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 公开了一种气体调节组件，其包括第一块结构和至少一个第二块结构。第一气体流动通道和第二气体流动通道在第一块结构内延伸。第一气体流动通道与第二气体流动通道相邻。第二块结构包括贮存器壳体块和贮存器轭。贮存器轭包括在贮存器壳体块内的至少一个气体贮存器。第二块结构还包括与第一块结构相邻的非平面侧壁。非平面侧壁包括沿着非平面侧壁而延伸的多个凹槽和多个凹陷轮廓。单个的凹陷轮廓与相邻的表面安装部件热接触。单个的凹槽与从第一块结构而延伸的气体管线配管段热接触。

公开(公告)号：CN116250069A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180066421.2

申请日：2021-09-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 泰迪亚斯·班福德

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于提供气体混合物至衬底处理系统中的多个处理站的气体分配装置包括第一及第二阀入口块，以供应第一及第二前体气体混合物。第一阀入口块被设置在处理站上方并且包括第一外壳，第一外壳包围与处理站流体连通的第一多个阀、以及与第一多个阀流体连通的第一前体气体歧管、第一共流气体歧管和第一转向出口歧管。第二阀入口块被设置在第一阀入口块上方并且包括第二外壳，第二外壳包围与处理站流体连通的第二多个阀、以及与第二多个阀流体连通的第二前体气体歧管、第二共流气体歧管和第二转向出口歧管。

公开(公告)号：CN119698494A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059419.1

申请日：2023-08-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 克里斯多夫·马修·琼斯 ,  亚伦·德宾 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  约翰·福尔登·斯顿夫 ,  保罗·C·莱曼利 ,  布莱斯·以赛亚·埃德蒙森 ,  约瑟夫·R·阿贝尔

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 一种包含流量控制部件模块、液体流量控制器和汽化器模块的模块化蒸气输送系统，流量控制部件模块包含第一入口端口和第二入口端口，液体流量控制器耦合至流量控制部件模块的出口端口，且汽化器模块耦合至液体流量控制器的出口端口。

公开(公告)号：CN111989768B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201880089300.8

申请日：2018-12-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 袁光璧 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  柯蒂斯·沃伦·贝利 ,  托尼·考沙尔 ,  克里希纳·比鲁 ,  威廉·施洛瑟 ,  达莫达·尚巴格 ,  龚波 ,  邱华檀 ,  赖锋源 ,  许晨华 ,  杰弗里·霍恩 ,  罗希特·哈雷 ,  伦纳德·韦·丰·许 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  安德鲁·H·布伦宁格 ,  刘刚

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。

公开(公告)号：CN116324026A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180069305.6

申请日：2021-10-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 泰迪亚斯·班福德 ,  乔治·雷耶斯 ,  埃米尔·德拉佩

IPC: C23C16/448

Abstract: 一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件包含：储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上。所述蒸发器阀块包括：本体；多个阀，其安装于所述本体上；载气入口，其与所述储存罐流体连通；前体液体入口，其与所述储存罐流体连通；蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及蒸气出口，其与所述处理室流体连通。所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。

公开(公告)号：CN111989768A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201880089300.8

申请日：2018-12-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 袁光璧 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  柯蒂斯·沃伦·贝利 ,  托尼·考沙尔 ,  克里希纳·比鲁 ,  威廉·施洛瑟 ,  达莫达·尚巴格 ,  龚波 ,  邱华檀 ,  赖锋源 ,  许晨华 ,  杰弗里·霍恩 ,  罗希特·哈雷 ,  伦纳德·韦·丰·许 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  安德鲁·H·布伦宁格 ,  刘刚

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。