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发明公开
半导体设备中电容的降低审中-公开

公开(公告)号：CN118891698A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028358.2

申请日：2023-03-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 伊恩·约翰·科廷 , 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 桂喆 , 托比亚斯·佩斯科尔 , 巴特·J·范施拉芬迪克

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455

摘要： 公开了使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。该方法可用于形成埋藏式空隙，即顶部低于相邻特征顶部的空隙。在一些实施方案中，该方法用于减少半导体设备中的层内电容。