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公开(公告)号:CN106245002B
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201610408823.7
申请日:2016-06-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及消除在原子层沉积中二氧化硅膜的接缝的系统和方法。一种用于填充在衬底中的沟槽的方法包括使沟槽部分地填充有第一二氧化硅层。在所述二氧化硅层上沉积非晶硅层。使所述沟槽填充有第二二氧化硅层。在所述衬底上进行氧化处理,以氧化所述非晶硅层。
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公开(公告)号:CN109698144A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811223497.8
申请日:2018-10-19
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及使用计算机视觉系统的原位室清洁终点检测系统和方法。一种系统包括安装在处理室的窗外部并邻近所述窗的相机,所述处理室被配置成处理半导体衬底。所述窗使得所述相机能观察到所述处理室内的部件。所述相机被配置为于在正在所述处理室内执行的处理期间生成指示所述部件的状态的视频信号。该系统还包括耦合到所述处理室上的控制器。该控制器被配置成:控制所述相机;处理来自所述相机的所述视频信号;根据对所述视频信号的所述处理确定所述部件的状态;以及根据所述部件的所述状态确定是否终止所述处理。
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公开(公告)号:CN106245002A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:CN201610408823.7
申请日:2016-06-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及消除在原子层沉积中二氧化硅膜的接缝的系统和方法。一种用于填充在衬底中的沟槽的方法包括使沟槽部分地填充有第一二氧化硅层。在所述二氧化硅层上沉积非晶硅层。使所述沟槽填充有第二二氧化硅层。在所述衬底上进行氧化处理,以氧化所述非晶硅层。
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