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公开(公告)号：CN113204134B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110523239.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高效率的片上中红外声光调制器及其制备方法，所述新型高效率的片上中红外声光调制器包括设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的红外硫系光波导，所述红外硫系光波导由单层或者多层不同组分硫系玻璃薄膜材料组成，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干叉指电极。本发明综合利用硫系玻璃材料优异的声光特性、红外谱段透明性与铌酸锂薄膜显著的压电效应，集成声表面波换能器与硫系光波导元件，解决了中红外光波损耗与声波损耗之间的平衡问题，进而解决了高频率瑞利声表面波与中红外光波导两者间互相作用的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113204134A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110523239.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高效率的片上中红外声光调制器及其制备方法，所述新型高效率的片上中红外声光调制器包括设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的红外硫系光波导，所述红外硫系光波导由单层或者多层不同组分硫系玻璃薄膜材料组成，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干叉指电极。本发明综合利用硫系玻璃材料优异的声光特性、红外谱段透明性与铌酸锂薄膜显著的压电效应，集成声表面波换能器与硫系光波导元件，解决了中红外光波损耗与声波损耗之间的平衡问题，进而解决了高频率瑞利声表面波与中红外光波导两者间互相作用的问题。
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公开(公告)号：CN116699883A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310676875.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 天津大学浙江国际创新设计与智造研究院 , 暨南大学
Abstract: 本发明公开一种剪切波工作模式下宽带高效的声光调制器及其制备方法，涉及集成光学技术领域，其中，所述声光调制器包括：从下至上依次设置的硅衬底、二氧化硅层以及铌酸锂‑硫系玻璃异质层，铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的硫系光波导、叉指换能器和反射栅，若干反射栅关于叉指换能器对称设置，叉指换能器与硫系光波导之间形成倾斜夹角。本发明综合利用了硫系玻璃材料出色的声光特性、铌酸锂薄膜突出的压电效应，叉指换能器相对于光波导呈倾斜夹角放置，充分利用了水平剪切波在声孔径方向产生的机械形变，同时使用反射栅进行声波的增强，提高声波谐振腔Q值，从而提升调制带宽的同时解决声光调制效率偏低的问题。
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公开(公告)号：CN114859579A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210491356.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种新型推挽式高效宽带声光调制器及其制备方法，所述声光调制器包括基片以及设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层和铌酸锂薄膜上的叉指换能器；铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的硫系光波导；铌酸锂薄膜上设置的叉指换能器包括若干个叉指电极，叉指换能器采用聚焦型叉指换能器或长度不等的双电极叉指换能器。本发明使用聚焦型叉指换能器激发汇聚型声表面波，充分利用声波能量，提高光波导折射率的改变量；或使用长度不等的双电极叉指换能器，有效消除电极反射问题，提高微波工作带宽；上述声光调制器具有调制效率高、制作容易、带宽大、速度高、易实现片上大规模集成的特点。
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公开(公告)号：CN116774470A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310676873.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 天津大学浙江国际创新设计与智造研究院 , 暨南大学
Abstract: 本发明公开一种具有介质反射栅结构增强型声光调制器及其制备方法，涉及集成光学技术领域，其中，所述声光调制器包括：基片以及设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的硫系光波导和硫系介质型反射栅，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，若干所述硫系介质型反射栅关于所述叉指换能器对称设置。本发明使用硫系介质型反射栅对单臂以及双臂推挽调制进行声波的增强，提高叉指换能器激发的声波强度。另外本发明利用X‑(‑30°)Y或者X‑(30°)Y切向的铌酸锂高机电耦合系数，提高微波到声波的转换效率。上述声光调制器调制效率高、制作容易、易实现片上大规模集成。
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公开(公告)号：CN116300156A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310017200.7
申请日：2023-01-06
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种高边模抑制比的片上声光调制器，包括：绝缘衬底以及设置在绝缘衬底上的铌酸锂基片，所述铌酸锂基片上异构集成硫系光波导并设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干偶数对叉指电极。硫系光波导为多模RT跑道型光波导。本发明结合硫系玻璃材料的声光特性、铌酸锂薄膜的压电效应，利用微环谐振器多模波导结构，将叉指换能器激发的声表面波以及光波能量充分束缚在波导结构中，经过声光相互作用产生的边带信号在微环结构中满足相位匹配条件下可实现单一边带的放大，抑制其他边模，进而实现高效、高抑制比的声光调制。本发明提供的高边模抑制比的片上声光调制器具有调制效率高、成本低、易实现片上大规模集成的特点。
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