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公开(公告)号：CN116300156A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310017200.7
申请日：2023-01-06
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种高边模抑制比的片上声光调制器，包括：绝缘衬底以及设置在绝缘衬底上的铌酸锂基片，所述铌酸锂基片上异构集成硫系光波导并设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干偶数对叉指电极。硫系光波导为多模RT跑道型光波导。本发明结合硫系玻璃材料的声光特性、铌酸锂薄膜的压电效应，利用微环谐振器多模波导结构，将叉指换能器激发的声表面波以及光波能量充分束缚在波导结构中，经过声光相互作用产生的边带信号在微环结构中满足相位匹配条件下可实现单一边带的放大，抑制其他边模，进而实现高效、高抑制比的声光调制。本发明提供的高边模抑制比的片上声光调制器具有调制效率高、成本低、易实现片上大规模集成的特点。
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