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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113865702A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111026230.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器，包括从上到下依次设置的叉指电极、石墨烯薄膜、二硫化钼薄膜、PMMA薄膜、侧边抛磨光纤和玻璃衬底；侧边抛磨光纤包括纤芯和包层，所述光纤固定于玻璃衬底上，所述纤芯被包裹于包层内，且部分显露于包层外；且显露的部分朝上，且为一平面；PMMA薄膜覆盖于纤芯显露的平面上；且所述二硫化钼薄膜、石墨烯薄膜和叉指电极依次贴合覆盖在PMMA薄膜上方。本发明可同时实现光信号的起偏、探测和传输，可在近红外波段实现宽带探测和起偏，且器件的起偏特性可调：侧边抛磨光纤集成打破了二维材料由于原子层厚度导致的弱光吸收的限制，并且石墨烯/二硫化钼异质结有效增强了光吸收，大幅增强了光电探测器灵敏度。
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公开(公告)号：CN110376687B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910489907.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，包括侧抛磨光纤、微带电极、石墨烯薄膜、PB薄膜、PMMA薄膜；所述侧抛磨光纤包括纤芯和包层，所述包层和纤芯经部分抛磨处理成抛磨区；所述侧抛磨光纤的抛磨区朝上且在纤芯两侧设有微带电极，所述微带电极覆盖至非抛磨区；所述微带电极的上表面从上至下依次覆盖有PMMA薄膜、PB薄膜、石墨烯薄膜；本发明芯片具有响应速度快、探测效率高、稳定性高的特点以及极佳的光电探测性能；采用全光纤结构，与光纤通信系统完美兼容，解决生产中兼容等问题；本芯片直接在光纤上制作，制作过程简单，利于大量生产，也解决了光纤和波导结构的耦合难题，降低插入损耗，提高了器件的集成度。
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公开(公告)号：CN110376687A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910489907.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种微型宽谱高灵敏石墨烯光纤光电探测芯片，包括侧抛磨光纤、微带电极、石墨烯薄膜、PB薄膜、PMMA薄膜；所述侧抛磨光纤包括纤芯和包层，所述包层和纤芯经部分抛磨处理成抛磨区；所述侧抛磨光纤的抛磨区朝上且在纤芯两侧设有微带电极，所述微带电极覆盖至非抛磨区；所述微带电极的上表面从上至下依次覆盖有PMMA薄膜、PB薄膜、石墨烯薄膜；本发明芯片具有响应速度快、探测效率高、稳定性高的特点以及极佳的光电探测性能；采用全光纤结构，与光纤通信系统完美兼容，解决生产中兼容等问题；本芯片直接在光纤上制作，制作过程简单，利于大量生产，也解决了光纤和波导结构的耦合难题，降低插入损耗，提高了器件的集成度。
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公开(公告)号：CN113865702B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111026230.1
申请日：2021-09-02
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有起偏功能的光纤集成光电探测器，包括从上到下依次设置的叉指电极、石墨烯薄膜、二硫化钼薄膜、PMMA薄膜、侧边抛磨光纤和玻璃衬底；侧边抛磨光纤包括纤芯和包层，所述光纤固定于玻璃衬底上，所述纤芯被包裹于包层内，且部分显露于包层外；且显露的部分朝上，且为一平面；PMMA薄膜覆盖于纤芯显露的平面上；且所述二硫化钼薄膜、石墨烯薄膜和叉指电极依次贴合覆盖在PMMA薄膜上方。本发明可同时实现光信号的起偏、探测和传输，可在近红外波段实现宽带探测和起偏，且器件的起偏特性可调：侧边抛磨光纤集成打破了二维材料由于原子层厚度导致的弱光吸收的限制，并且石墨烯/二硫化钼异质结有效增强了光吸收，大幅增强了光电探测器灵敏度。
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公开(公告)号：CN213042025U
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202022036725.X
申请日：2020-09-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型涉及光纤相位调制技术领域，更具体地，涉及一种具有光电探测功能的相位调制器，包括：光纤、微纳条形电极、石墨烯薄膜和PMMA薄膜；所述光纤由包层和纤芯组成；所述包层包裹纤芯，其外侧具有集成区；所述集成区为光纤一侧向内凹陷的区域，所述区域具有开口以暴露纤芯；所述开口边缘设微纳条形电极；所述石墨烯薄膜覆盖在集成区开口和微纳条形电极上；所述PMMA薄膜覆盖在石墨烯薄膜上。与现有技术相比，本实用新型同时具备光电探测和相位调制两种功能。
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