公开(公告)号：CN104221176A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380005733.8

申请日：2013-01-15

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司 ,  住友电木株式会社

Inventor： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  C·伯恩斯 ,  C·赛勒斯 ,  E·埃尔切 ,  R·格罗夫 ,  S·开蒂 ,  B·纳普 ,  H·额 ,  S·大桥 ,  张伟

IPC: H01L51/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC classification number: C08F232/08 ,  C08F2500/13 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/26 ,  C08F2800/20 ,  C08K5/13 ,  C08K5/18 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J145/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2400/143 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5329 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043

Abstract: 本发明涉及一种聚降冰片烯(PNB)组合物实施方案，其对于形成微电子和/或光电子器件及其组件是有用的，本发明更具体涉及一种包含具有降冰片烯型重复单元的PNB的组合物，该降冰片烯型重复单元是聚醚官能化的，其中，该组合物以及由其形成的微电子和/或光电子器件的该PNB可抵抗所述聚醚官能的热氧化性的链降解。

公开(公告)号：CN103221482B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180056170.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  L·朗斯多夫 ,  W·C·P·塔桑

IPC: C08L69/00 ,  B23K1/20 ,  C08K5/09 ,  H01L21/56

CPC classification number: C08K5/09 ,  C08L69/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H05K13/00 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的实施方案涵盖可用于将微电子组件的组装体组装到各种基材材料上的聚合物组合物。此类聚合物组合物既提供保持所述微电子组件在基材上的所需位置，提供此类组件与基材的焊料粘结的助熔又保留在适当位置作为此类组件的底部填料。

公开(公告)号：CN103221482A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180056170.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 普罗米鲁斯有限责任公司

Inventor： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  L·朗斯多夫 ,  W·C·P·塔桑

IPC: C08L69/00 ,  B23K1/20 ,  C08K5/09 ,  H01L21/56

CPC classification number: C08K5/09 ,  C08L69/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H05K13/00 ,  H05K13/0465 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的实施方案涵盖可用于将微电子组件的组装体组装到各种基材材料上的聚合物组合物。此类聚合物组合物既提供保持所述微电子组件在基材上的所需位置，提供此类组件与基材的焊料粘结的助熔又保留在适当位置作为此类组件的底部填料。

公开(公告)号：CN104221176B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380005733.8

申请日：2013-01-15

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： C·阿帕纽斯 ,  A·贝尔 ,  C·伯恩斯 ,  C·赛勒斯 ,  E·埃尔切 ,  R·格罗夫 ,  S·开蒂 ,  B·纳普 ,  H·额 ,  S·大桥 ,  张伟

IPC: H01L51/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC classification number: C08F232/08 ,  C08F2500/13 ,  C08F2500/25 ,  C08F2500/26 ,  C08F2800/20 ,  C08K5/13 ,  C08K5/18 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J145/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2400/143 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0395 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/5329 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043

Abstract: 本发明涉及一种聚降冰片烯(PNB)组合物实施方案，其对于形成微电子和/或光电子器件及其组件是有用的，本发明更具体涉及一种包含具有降冰片烯型重复单元的PNB的组合物，该降冰片烯型重复单元是聚醚官能化的，其中，该组合物以及由其形成的微电子和/或光电子器件的该PNB可抵抗所述聚醚官能的热氧化性的链降解。