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公开(公告)号：CN101589480B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200780047822.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 昭和KDE株式会社 , 学校法人东京理科大学 , 日本恒温装置株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , B09B3/005 , C04B35/58085 , C04B35/62204 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B35/6265 , C04B35/62655 , C04B35/62665 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/42 , C04B2235/421 , C04B2235/428 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/81 , H01L35/34 , Y02W10/37
Abstract: 本发明提供可以在约300～600℃的温度下稳定地发挥较高的热电转换性能、具有较高的物理强度、不会风化且在耐久性方面优异、稳定性及可靠性高的热电转换材料及其制造方法以及热电转换元件，并且，提供能够将以往除了填埋处理以外没有其他用途的硅残渣作为原料的热电转换材料。这里，本发明的热电转换材料的特征在于，其含有烧结体作为主成分，所述烧结体由含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁构成，另外本发明是使用了经过纯化提纯处理的硅残渣的制造方法。
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公开(公告)号：CN101589480A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780047822.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 昭和KDE株式会社 , 学校法人东京理科大学 , 日本恒温装置株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , B09B3/005 , C04B35/58085 , C04B35/62204 , C04B35/6261 , C04B35/6263 , C04B35/6265 , C04B35/62655 , C04B35/62665 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/42 , C04B2235/421 , C04B2235/428 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/81 , H01L35/34 , Y02W10/37
Abstract: 本发明提供可以在约300～600℃的温度下稳定地发挥较高的热电转换性能、具有较高的物理强度、不会风化且在耐久性方面优异、稳定性及可靠性高的热电转换材料及其制造方法以及热电转换元件，并且，提供能够将以往除了填埋处理以外没有其他用途的硅残渣作为原料的热电转换材料。这里，本发明的热电转换材料的特征在于，其含有烧结体作为主成分，所述烧结体由含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁构成，另外本发明是使用了经过纯化提纯处理的硅残渣的制造方法。
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公开(公告)号：CN102804433A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028725.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 学校法人东京理科大学 , 昭和KDE株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B33/06 , C01P2002/70 , C01P2004/61 , C04B35/58085 , C04B35/6261 , C04B35/62665 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/428 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C22C23/00 , F27D17/004 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/383 , Y02E60/324
Abstract: 本发明提供一种镁-硅复合材料。上述镁-硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁-硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁-硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。
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公开(公告)号：CN102811949B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180014203.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 国立大学法人茨城大学 , 昭和KDE株式会社
Abstract: 提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者Mg？Si合金粒子或Mg ？Sn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx ？？？式（1）［式（1）中的x为0～1］。
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公开(公告)号：CN102811949A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014203.0
申请日：2011-03-16
Applicant: 国立大学法人茨城大学 , 昭和KDE株式会社
Abstract: 提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者MgSi合金粒子或MgSn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx 式（1）［式（1）中的x为0～1］。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101687654A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200780052469.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 昭和KDE株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种无石棉高纯度天然薄片矿物，该无石棉高纯度天然薄片矿物从天然薄片矿物矿石中分离得到，所包含作为杂质的为石棉和除了所述薄片矿物之外的矿物成分。还提供了一种容易制造所述无石棉高纯度天然薄片矿物的方法。本发明的无石棉高纯度天然薄片矿物是以下列步骤制造：粗糙地破碎包含石棉的天然薄片矿物以制备第一混合物，所述第一混合物包含薄片材料、块状材料和/或其它块状材料以及粉状石棉，所述薄片材料仅具有所述薄片矿物，所述块状材料具有除了包括石棉的所述薄片矿物之外的矿物，所述其它块状材料具有所述薄片矿物；将所述第一混合物过筛以制备具有控制在预设可分级范围的粒径的第二混合物；以及使用比重分离设备分离所述第二混合物为仅具有所述薄片矿物的所述薄片材料、具有除了包括石棉的所述薄片矿物之外的矿物的所述块状材料和/或具有所述薄片矿物的所述其它块状材料、以及所述粉状石棉。
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公开(公告)号：CN101687654B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200780052469.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 昭和KDE株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种无石棉高纯度天然薄片矿物，该无石棉高纯度天然薄片矿物从天然薄片矿物矿石中分离得到，所包含作为杂质的为石棉和除了所述薄片矿物之外的矿物成分。还提供了一种容易制造所述无石棉高纯度天然薄片矿物的方法。本发明的无石棉高纯度天然薄片矿物是以下列步骤制造：粗糙地破碎包含石棉的天然薄片矿物以制备第一混合物，所述第一混合物包含薄片材料、块状材料和/或其它块状材料以及粉状石棉，所述薄片材料仅具有所述薄片矿物，所述块状材料具有除了包括石棉的所述薄片矿物之外的矿物，所述其它块状材料具有所述薄片矿物；将所述第一混合物过筛以制备具有控制在预设可分级范围的粒径的第二混合物；以及使用比重分离设备分离所述第二混合物为仅具有所述薄片矿物的所述薄片材料、具有除了包括石棉的所述薄片矿物之外的矿物的所述块状材料和/或具有所述薄片矿物的所述其它块状材料、以及所述粉状石棉。
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公开(公告)号：CN102804433B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201080028725.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 学校法人东京理科大学 , 丰田通商株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B33/06 , C01P2002/70 , C01P2004/61 , C04B35/58085 , C04B35/6261 , C04B35/62665 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/428 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/666 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C22C23/00 , F27D17/004 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/383 , Y02E60/324
Abstract: 本发明提供一种镁‑硅复合材料。上述镁‑硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁‑硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁‑硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。
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公开(公告)号：CN102473831B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080033425.2
申请日：2010-07-26
Applicant: 学校法人东京理科大学
CPC classification number: H01L35/34 , B22F3/10 , B22F9/04 , C04B35/58085 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C22C1/02 , C22C23/00 , C22C24/00 , H01L35/14 , H01L35/22
Abstract: 本发明提供一种铝-镁-硅复合材料，具有优异的热电转换特性，该复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，是能够适合用作热电转换组件的材料的铝-镁-硅复合材料。本发明的铝-镁-硅复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，在300K下的电导率σ为1000～3000S/cm。由于该铝-镁-硅复合材料热电转换特性优异，因此适用于制造热电转换元件。
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公开(公告)号：CN102473831A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033425.2
申请日：2010-07-26
Applicant: 学校法人东京理科大学 , 道康宁东丽株式会社
CPC classification number: H01L35/34 , B22F3/10 , B22F9/04 , C04B35/58085 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , C22C1/02 , C22C23/00 , C22C24/00 , H01L35/14 , H01L35/22
Abstract: 本发明提供一种铝-镁-硅复合材料，具有优异的热电转换特性，该复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，是能够适合用作热电转换组件的材料的铝-镁-硅复合材料。本发明的铝-镁-硅复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，在300K下的电导率σ为1000～3000S/cm。由于该铝-镁-硅复合材料热电转换特性优异，因此适用于制造热电转换元件。
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