发明授权
CN102811949B Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法
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申请号: CN201180014203.0申请日: 2011-03-16
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公开(公告)号: CN102811949B公开(公告)日: 2015-09-30
- 发明人: 鹈殿治彦 , 水户洋彦
- 申请人: 国立大学法人茨城大学 , 昭和KDE株式会社
- 申请人地址: 日本茨城县水户市
- 专利权人: 国立大学法人茨城大学,昭和KDE株式会社
- 当前专利权人: 国立大学法人茨城大学,昭和KDE株式会社
- 当前专利权人地址: 日本茨城县水户市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 庞立志; 孟慧岚
- 优先权: 2010-061267 2010.03.17 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/057064 2011.03.16
- 国际公布: WO2011/115297 JA 2011.09.22
- 进入国家日期: 2012-09-17
- 主分类号: C01B33/06
- IPC分类号: C01B33/06 ; C22C1/02 ; C22C13/00 ; C22C23/00 ; H01L35/14 ; H01L35/20 ; H01L35/34
摘要:
提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法,所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题,该装置1的特征在于,至少具备:反应容器3,用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者Mg?Si合金粒子或Mg ?Sn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式(1)所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12;无机纤维层6,其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6,其中,可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性;加热装置8,加热前述反应容器3;和控制装置9,控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx ???式(1)[式(1)中的x为0~1]。
公开/授权文献
- CN102811949A Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置和制造方法 公开/授权日:2012-12-05