公开(公告)号：CN118241087A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311750514.4

申请日：2023-12-19

申请人： 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人茨城大学

发明人： 逢坂崇 ,  谷野仁 ,  伊藤吾朗 ,  仓本繁

IPC分类号： C22C21/08 ,  C22C21/02 ,  C22F1/047 ,  C22F1/043 ,  B21J5/00 ,  B21K29/00

摘要： 本发明提供能够抑制在高湿度中以一定载荷施加拉伸负荷时的裂纹扩展的Al‑Mg‑Si系的铝合金的铸造热加工品及其制造方法。该铸造热加工品是Al‑Mg‑Si系铝合金的铸造热加工品，上述铝合金含有Si和Cu，上述Si的质量％与上述Cu的质量％的比率即Si/Cu比小于3.3。

公开(公告)号：CN115768930A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180001913.3

申请日：2021-02-25

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  JX金属株式会社

发明人： 鹈殿治彦

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B11/08 ,  H01L31/10

摘要： 本发明提供一种良好地抑制了晶体内的小角度晶界的产生的Mg2Si单晶体。本发明是一种Mg2Si单晶体，其通过XRD测定出的晶体取向的偏差在±0.020°的范围内。

公开(公告)号：CN118510386A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280076918.7

申请日：2022-11-21

申请人： 国立大学法人茨城大学

发明人： 成泽一彦 ,  H·维维克

IPC分类号： A01G7/00 ,  A01G22/05 ,  A01G24/10 ,  A01G24/20

摘要： 本申请涉及一种植物的培养土，其包含：Cladophialophora属的菌类、以及土壤，其为強酸性的有机栽培土壤、強酸性的惯用栽培土壤和弱酸性～中性的有机栽培土壤中的任一种，或者，一种植物的培养土，其包含：Exophiala sp.SK47或其突变株的菌类、以及強酸性的有机栽培土壤或強酸性的惯用栽培土壤；使用所述培养土的植物的栽培方法；以及、带有培养土的植物的苗。

公开(公告)号：CN111193401B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201911106105.4

申请日：2019-11-13

申请人： 株式会社电装 ,  国立大学法人茨城大学

发明人： 居安诚二 ,  林裕二 ,  鹈野将年

IPC分类号： H02M3/335

摘要： 一种电力转换设备，至少在第一装置、第二装置与第三装置之间进行电力转换。电力转换设备包括初级转换器，上述初级转换器构造成在第一装置与第二装置之间进行电力转换。初级转换器包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和电容器。第二开关、第三开关、第四开关和电容器以全桥构造连接来构成全桥转换器。

公开(公告)号：CN110574172B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201880025393.8

申请日：2018-09-20

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  JX金属株式会社

发明人： 鹈殿治彦 ,  朝日聪明

IPC分类号： H01L31/103

摘要： 一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提供具有不仅与Mg2Si材料的附着力高而且还使包括光灵敏度在内的综合性能提高的电极构成的半导体光电二极管。

公开(公告)号：CN112956033A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980069424.4

申请日：2019-05-23

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  JX金属株式会社

发明人： 鹈殿治彦 ,  朝日聪明

IPC分类号： H01L31/0264

摘要： 本发明提供一种耐氧化性良好的半导体材料。该半导体材料具有由下述组成式表示的单晶体，组成式：Mg2Sn·Zna(式中，a是Zn相对于Mg2Sn的含量，为0.05～1at％。)。

公开(公告)号：CN110574172A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880025393.8

申请日：2018-09-20

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  JX金属株式会社

发明人： 鹈殿治彦 ,  朝日聪明

IPC分类号： H01L31/103

摘要： 一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提供具有不仅与Mg2Si材料的附着力高而且还使包括光灵敏度在内的综合性能提高的电极构成的半导体光电二极管。

公开(公告)号：CN102811949B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180014203.0

申请日：2011-03-16

申请人： 国立大学法人茨城大学 ,  昭和KDE株式会社

发明人： 鹈殿治彦 ,  水户洋彦

IPC分类号： C01B33/06 ,  C22C1/02 ,  C22C13/00 ,  C22C23/00 ,  H01L35/14 ,  H01L35/20 ,  H01L35/34

摘要： 提供廉价的Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg2Si1-xSnx多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者Mg？Si合金粒子或Mg ？Sn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg2Si1-xSnx多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg2Si1-xSnx ？？？式（1）［式（1）中的x为0～1］。

公开(公告)号：CN118702139A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410357785.1

申请日：2024-03-27

申请人： 三星电机株式会社 ,  国立大学法人茨城大学

发明人： 山口健 ,  土井俊宏 ,  畠宏太郎 ,  中岛光一

IPC分类号： C01G23/00

摘要： 本公开提供一种核‑壳结构颗粒、介电组合物和制造核‑壳结构颗粒的方法。所述核‑壳结构颗粒可包括：核颗粒，包括粒径小于等于100nm的BaTiO3；以及壳相，包括CaTiO3和SrTiO3中的至少一种并且以大于等于1个单位且小于等于10个单位钙钛矿结构的厚度包围所述核颗粒。

公开(公告)号：CN116018522A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180054466.8

申请日：2021-09-10

申请人： NOK株式会社 ,  国立大学法人茨城大学

发明人： 中村麻子 ,  高桥健太 ,  小森隆幸

IPC分类号： G01N37/00

摘要： 本发明的课题是提供一种白细胞捕获设备，其不需要离心分离机那样的大型装置，所需的血液也为少量在1μl左右。上述课题通过白细胞捕获设备(1)来解决，所述白细胞捕获设备(1)使含血液的液体通过来捕获白细胞，其中，芯片(10)具有平面部(12)和设置于平面部(12)上的许多凸部(14)，该芯片(10)构成为使得从入口(3)进入的含血液的液体在芯片(10)中的平面部(12)的表面上通过且在凸部(14)和与之相邻的另外的凸部(14)之间通过、并从出口(5)排出。凸部(14)在平面部(12)上以层状设置，各层包含多个凸部(14)，并构成为使得通过了入口(3)侧的层的含血液的液体通过与该层相邻的出口(5)侧的层，在各层中形成有在凸部(14)和与之相邻的凸起(14)之间的捕获部和旁路部，且在特定层中的旁路部的出口(5)侧配置有作为与该特定层相邻的另外的层的一部分的捕获部。