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公开(公告)号：CN104909824A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510103363.2
申请日：2015-03-10
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
IPC分类号： C04B41/50
CPC分类号： C30B29/06 , B05B12/004 , B05D1/02 , B05D7/227 , C30B35/002
摘要： 本发明提供一种坩埚隔绝层的制造方法及其所应用的喷涂装置，所述方法包括如下步骤：提供喷涂装置，以供下述喷涂步骤使用；加热坩埚并测量其温度，以得到喷涂前温度；采用喷涂单元依照预设喷涂手段将浆料喷涂在坩埚内壁面，以在坩埚内壁面成形隔绝层；测量隔绝层以得到喷涂后温度；取得坩埚在喷涂前后温度的实际差值，并判断实际差值是否落入预设差值范围，其中，预设差值范围为6℃至12℃，当实际差值未落入预设差值范围，则变更预设喷涂手段；当实际差值落入预设差值范围，则对该坩埚重复上述的喷涂步骤。
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公开(公告)号：CN103088405B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110336713.1
申请日：2011-11-01
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭，其中，所述硅晶种层硅是由多个主要单晶硅晶种以及多个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有非[100]的第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有非所述第一晶向的一第二晶向，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种并与其他主要单晶硅晶种隔开，本发明无须将两相邻单晶硅晶种的边界接合，也能抑制两相邻单晶硅晶种的边界在硅晶铸锭制造过程中发展成有害缺陷，且制得的硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
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公开(公告)号：CN103088403A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210441855.9
申请日：2012-11-08
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
CPC分类号： C01B33/02 , C30B11/002 , C30B11/006 , C30B29/06 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T428/259
摘要： 本发明涉及一种硅晶铸锭的制造方法，本发明所述的制造方法利用成核促进层，让多个硅晶粒从硅熔汤中在成核促进层上成核，且沿垂直方向成长，直至硅熔汤全部凝固，以获得硅晶铸锭。
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公开(公告)号：CN103021830B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210349608.6
申请日：2012-09-20
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积的最大面、以及连接最大面边缘的侧表面。本发明的晶片加工方法包含下列步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面以于其上形成可分散晶片应力的纳米结构层。藉此，本发明的方法所处理后的晶片具有良好的抗破裂性，可避免于半导体工艺或其它加工工艺中因受到外力而磨损甚至破裂。
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公开(公告)号：CN103088418B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110337512.3
申请日：2011-11-01
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅晶粒分布比例，本发明硅晶铸锭底部处的硅晶粒的平均晶粒尺寸小于12mm，且硅晶铸锭上区域的硅晶粒的平均晶粒尺寸大于14mm，由于小尺寸硅晶粒型态在长晶过程中有较少晶粒竞争现象，且小尺寸硅晶粒分布紧密较易趋于单一向上成长，减少晶粒大吃小情形与避免柱状晶无法成长完整，此外，分布密布高的晶界进一步提供晶体内差排或其他应力缺陷得以顺利移动的管道，降低缺陷增加速率，进而让硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
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公开(公告)号：CN104726933A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410668760.X
申请日：2014-11-21
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明提供一种用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法，所述晶碇铸造炉包括有一坩埚，所述坩埚供放置晶种及固态的硅原料，所述冷却装置设置于所述坩埚下方，包含有一基座，其上设有至少一个冷却槽与至少一供流体通过的通道，所述冷却槽对应所述坩埚底部的角落区域，所述通道连通所述冷却槽与所述基座外部。所述铸造晶碇的方法在硅原料熔化的阶段注入流体至所述基座上的通道中，使流体对所述坩埚底面的角落区域进行冷却，以带走过多的热能，以避免位于坩埚角落区域的晶种完全熔化。
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公开(公告)号：CN103088418A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110337512.3
申请日：2011-11-01
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅晶粒分布比例，本发明硅晶铸锭底部处的硅晶粒的平均晶粒尺寸小于12mm，且硅晶铸锭上区域的硅晶粒的平均晶粒尺寸大于14mm，由于小尺寸硅晶粒型态在长晶过程中有较少晶粒竞争现象，且小尺寸硅晶粒分布紧密较易趋于单一向上成长，减少晶粒大吃小情形与避免柱状晶无法成长完整，此外，分布密布高的晶界进一步提供晶体内差排或其他应力缺陷得以顺利移动的管道，降低缺陷增加速率，进而让硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
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公开(公告)号：CN102925957A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110230460.X
申请日：2011-08-12
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明公开了一种长晶装置，包含坩埚，以及位于坩埚外侧且对坩埚加热形成热场的热场供应器，坩埚包括具有开口并用以容置长晶原料的容槽，而热场供应器包括围绕坩埚并对坩埚加热的加热单元以及设于加热单元底部的隔热单元，且热场供应器可相对于坩埚在第一位置和第二位置之间移动而对坩埚形成具有温差的两个热场，藉此令坩埚中的长晶原料于此二形成明显的温度梯度的热场结构中可被控制地单向进行长晶，而获得具有较多孪生晶界的良好晶体。
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公开(公告)号：CN101624723B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810132695.3
申请日：2008-07-10
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明晶体形成方式及装置，主要透过对坩锅底层施以局部高冷却方式，使液相原料的径向延伸方向形成多数的温度差异区，以控制各初成核的形成位置及生长方向，使各初成核向上成长而形成的完整多晶硅晶体具有较高的电钝性晶界以及单位横切面积晶界数量较少的特性；尤其，可进一步采用沿着初成核成长方向纵向切割的方式减少晶界，进而增加芯片的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103255475A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210053083.1
申请日：2012-03-02
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅晶铸锭及其制造方法。所述制造方法利用多个成核促进颗粒，让一硅熔汤中多个硅晶粒在多个成核促进颗粒上成核且沿垂直方向成长，直至硅熔汤全部凝固。每一个成核促进颗粒由一主颗粒以及接合在主颗粒的表面上的多个次颗粒所构成。多个次颗粒的平均粒径小于多个主颗粒的平均粒径。
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