晶片加工方法

发明授权

CN103021830B 晶片加工方法失效 - 权利终止

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专利标题： 晶片加工方法
申请号： CN201210349608.6

申请日： 2012-09-20
公开(公告)号： CN103021830B

公开(公告)日： 2016-09-07
发明人: 叶哲良 , 许松林 , 钱俊逸 , 徐文庆
申请人： 昆山中辰矽晶有限公司
申请人地址： 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号
专利权人： 昆山中辰矽晶有限公司
当前专利权人： 昆山中辰矽晶有限公司
当前专利权人地址： 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号
代理机构： 上海翼胜专利商标事务所
代理商 翟羽
优先权： 100133875 2011.09.21 TW
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; H01L21/02

晶片加工方法

摘要：

本发明提供一种晶片加工方法，可用以提升晶片的强度，其中，晶片具有多个表面并且这些表面包含具有最大面积的最大面、以及连接最大面边缘的侧表面。本发明的晶片加工方法包含下列步骤：以刻蚀方法刻蚀晶片的侧表面以于其上形成可分散晶片应力的纳米结构层。藉此，本发明的方法所处理后的晶片具有良好的抗破裂性，可避免于半导体工艺或其它加工工艺中因受到外力而磨损甚至破裂。

公开/授权文献

CN103021830A 晶片加工方法公开/授权日：2013-04-03

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）