DBD电极的极化方法和装置

    公开(公告)号:CN102668721A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201080053108.7

    申请日:2010-11-23

    Abstract: 本发明涉及用于通过能够产生丝状等离子体的介质阻挡放电来处理基体的表面的装置,该装置包括反应室,反应室包括混合物,混合物的成分使得在接触等离子体后混合物分解并产生能够在基体上大部分或全部沉积成涂层的化学品种,其中之一带有高压AC的至少两个电极布置在反应室中,所述至少两个电极位于基体的两侧,至少一介质阻挡(DBD)布置在所述至少两个电极之间,并且所述装置包括具有次级电路的THT/HF变压器,其中,一直流电源(DC)串联插在次级电路中,使得在等离子体中产生的呈正电离子或负电离子形式的化学品种被靶基体有选择地吸引并且被带有相应电荷的电极排斥,所述靶基进入反应室中并且布置在所述至少两个电极之间。

    DBD电极的极化方法和装置

    公开(公告)号:CN102668721B

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201080053108.7

    申请日:2010-11-23

    Abstract: 本发明涉及用于通过能够产生丝状等离子体的介质阻挡放电来处理基体的表面的装置,该装置包括反应室,反应室包括混合物,混合物的成分使得在接触等离子体后混合物分解并产生能够在基体上大部分或全部沉积成涂层的化学品种,其中之一带有高压AC的至少两个电极布置在反应室中,所述至少两个电极位于基体的两侧,至少一介质阻挡(DBD)布置在所述至少两个电极之间,并且所述装置包括具有次级电路的VHV/HF变压器,其中,一直流电源(DC)串联插在次级电路中,使得在等离子体中产生的呈正电离子或负电离子形式的化学品种被靶基体有选择地吸引并且被带有相应电荷的电极排斥,所述靶基进入反应室中并且布置在所述至少两个电极之间。

    装饰性涂覆的聚合物基材及其获得方法

    公开(公告)号:CN119630832A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202380052093.X

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明涉及一种带有装饰性涂层的聚合物基材,所述装饰性涂层包括硼掺杂的硅氧化物的保护顶层,其中,所述硼掺杂的硅氧化物包含Si、O、B、H、和OH基团,其中,硼含量在4原子%至12原子%之间。本发明还包括一种用于在聚合物基材上通过线性中空阴极型PECVD沉积硼掺杂的硅氧化物层的方法,所述硼掺杂的硅氧化物层包括Si、O、B、H和OH基团,并且其中,硼含量在4原子%至12原子%之间。

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