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公开(公告)号：CN1777689A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010952.6
申请日：2004-04-23
Abstract: 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5－0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1－1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN108473366A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680070712.8
申请日：2016-12-02
Applicant: 旭硝子株式会社 , 坪田实验室股份有限公司
IPC: C03C17/245 , C03C17/32 , C03C17/34 , C03C27/12 , G02B5/22
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C17/245 , C03C17/32 , C03C17/42 , C03C2201/36 , C03C2217/70 , G02B5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使特定波长范围的光透射、并且波长短于该特定波长范围的光的透射率低的波长选择透射性玻璃物品。本发明涉及一种波长选择透射性玻璃物品，其中，所述波长选择透射性玻璃物品的波长大于315nm且小于等于400nm的光的透射率T大于315nm且小于等于400nm为1％以上，并且波长315nm以下的光的透射率T315nm以下为60％以下。
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公开(公告)号：CN106165025A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580019590.5
申请日：2015-04-09
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种利用热处理的铟锡氧化物膜的结晶化良好且结晶化后的铟锡氧化物膜的薄层电阻变小的层叠体。层叠体具有透明基材和铟锡氧化物层。铟锡氧化物层层叠在透明基材上且主要由非晶质的铟锡氧化物构成。铟锡氧化物层具有0.60at％以下的氢浓度。另外，铟锡氧化物层的热处理温度150℃和热处理时间30分钟的热处理后的薄层电阻成为200Ω/□以下。
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公开(公告)号：CN105189393A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025507.0
申请日：2014-04-11
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/361 , C03C17/3626 , C03C25/226 , C03C2217/94 , C03C2217/948 , C03C2218/153 , C03C2218/155 , C23C14/0036 , C23C14/0084 , H01L31/022475 , H01L51/0096 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5268 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种透光性基板，其特征在于，具有含有选自Bi、Ti、以及Sn的至少一种元素的玻璃基板、形成于该玻璃基板上的被覆层、形成于该被覆层上的透明导电膜，上述被覆层通过干式的成膜方法成膜。
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公开(公告)号：CN102209628A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980145426.3
申请日：2009-11-10
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H05K9/0096
Abstract: 本发明提供导电性(电磁波屏蔽性)良好、可见光透射率高、生产性良好的导电性层叠体及电磁波屏蔽性良好、透射·反射带宽、生产性良好的等离子显示器用保护板。所述导电性层叠体是包括基体和形成于基体上的导电膜的导电性层叠体，其特征在于，所述导电膜通过层叠n次(n为1～6的整数)层叠单元并进一步作为导电膜的最表层设置第1金属氧化物层而形成，该层叠单元是从基体侧开始依次配置了第1金属氧化物层、第2金属氧化物层及金属层的层叠单元，所述第1金属氧化物层是含有钛元素和M元素的氧化物层，所述M元素是选自原子量80以上的元素的1种以上的元素，在第1金属氧化物层中，相对于钛元素和M元素的合计量，M元素的含量为10～60原子％，所述第2金属氧化物层是以含锌元素的氧化物为主成分的层，所述金属层是以银为主成分的层，所述层叠单元中的第2金属氧化物层和金属层直接接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258616C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02804597.1
申请日：2002-02-06
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/505 , C23C14/547 , C23C14/568 , G02B1/10 , H01J37/32779 , H01J37/3405
Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90%，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。
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公开(公告)号：CN1491293A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804597.1
申请日：2002-02-06
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/505 , C23C14/547 , C23C14/568 , G02B1/10 , H01J37/32779 , H01J37/3405
Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90％，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。
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公开(公告)号：CN105189393B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201480025507.0
申请日：2014-04-11
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/361 , C03C17/3626 , C03C25/226 , C03C2217/94 , C03C2217/948 , C03C2218/153 , C03C2218/155 , C23C14/0036 , C23C14/0084 , H01L31/022475 , H01L51/0096 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5268 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L2251/558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供种透光性基板,其特征在于,具有含有选自Bi、Ti、以及Sn的至少种元素的玻璃基板、形成于该玻璃基板上的被覆层、形成于该被覆层上的透明导电膜,上述被覆层通过干式的成膜方法成膜。
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公开(公告)号：CN100545301C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610059588.3
申请日：2002-02-06
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明的溅射装置及溅射成膜方法，是在腔室内设置基板保持架的转盘型溅射装置中，对于形成低折射率膜的应用及形成高折射率膜的应用可分别同时设置常用磁控管及AC磁控管，用AC磁控管成膜达到设计膜厚的90%，然后仅用常用的磁控管成膜，这样能够进行高精度的膜厚控制，生产率高。
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公开(公告)号：CN100540723C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480010952.6
申请日：2004-04-23
Abstract: 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5-0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1-1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。
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